26pXJ-2 凹凸のあるSiO_2基板上グラフェンの磁気抵抗(26pXJ 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果・電子相関),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2013-03-26

著者

• 若林 淳一

  中大理工

• 相馬 孝吏

  中大理工

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