21pHV-4 ランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ構造二次元電子系の磁気抵抗 : 相関長依存性(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 廿楽 雅和

  中大理工

• 梅鶯 健太

  中大理工

• 若林 淳一

  中大理工

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