榊 裕之 | 東大生研
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概要
関連著者
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榊 裕之
東大生研
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川路 紳治
学習院大理
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若林 淳一
学習院大理
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吉野 淳二
東大生研
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平川 一彦
東大生研
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吉野 淳二
東工大院理工
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小林 孝嘉
東大理
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榊 裕之
東京大学生産技術研究所
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数藤 哲
学習院大理
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荒川 泰彦
東大生研
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打木 久雄
東大理
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木戸 義勇
東大物性研
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木戸 義勇
物材機構
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若林 淳一
中大理工
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
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関口 芳信
東大生研
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打木 久雄
東大理:長岡技科大
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滋野 博之
学習院大理
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平川 一彦
東京大
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長島 登志夫
中大理工
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村上 研太郎
中大理工
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三浦 登
東大物性研
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後藤 恒昭
東大物性研
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嶽山 正二郎
東大物性研
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榊原 俊郎
東大物性研
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南 不二雄
東工大院理工
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吉田 正裕
東大物性研
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秋山 英文
東大物性研
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古田 知史
東大生研
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木戸 義勇
東北大金研
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中尾 公一
東大物性研
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青柳 克信
理研
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小池 洋二
東北大金研
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染谷 隆夫
東大生産研
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西周 慶久
東工大院理工
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深瀬 哲郎
東北大金研
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榊 裕之
東大先端研
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榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
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榊 裕之
(社)応用物理学会
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関口 洋義
東工大院理工
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天内 英貴
三菱化学オプト技開セ
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長尾 哲
三菱化学オプト技開セ
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天内 英貴
三菱化学科学技術研究センター
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長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
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深野 敦之
学習院大理
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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長尾 哲
三菱化学オプトエレクトロニクス研究所
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長嶋 登志男
中大理工
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田上 知紀
東大生研
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大野 英男
東大生研
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堀田 多加志
東大生研
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榊原 敏郎
北大院理
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田中 一宜
電総研
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蒲生 容仁
三菱電機
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木村 達也
NTT基礎研
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広瀬 全孝
広大工
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Herlach F.
Katholieke Universiteit Leuven
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久保木 慶樹
学習院大理
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南部 利明
学習院大理
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片野 築
学習院大理
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染谷 隆夫
東大生研
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榊 裕之
生産技術研究所
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榊 裕之
豊田工業大学
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平川 和彦
東大生研
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大野 英夫
東大生研
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南 不二雄
東工大院理
著作論文
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
- 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
- 2a-A-20 ピコ秒レーザー励起超格子フォトルミネッセンスIII
- 4a-TC-5 ピコ秒レーザー励起による超格子フォトルネッセンス
- 30p-F-2 H-GaAlAs/GaAsヘテロ接合界面における二次元電子の伝導現象 : 散乱体の性質とその起源について
- 新たなブレークスルーには何が必要か
- 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
- 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
- 3p-A-6 半導体超格子のフェルミ面形状
- 5a-E-5 T型InGaAs量子細線からの発光の空間分布測定
- 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 4p-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 1a-Pα-25 GaAs-Al_xGa_Asヘテロ接合の磁気フォノン共鳴
- 30a-LD-6 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギーII(半導体)
- 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 29p-FC-1 分数量子ホール効果 : 実験(特別講演,29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 3a-D5-11 ピコ秒レーザー励起による超格子フォトルミネッセンスII(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)