3p-A-6 半導体超格子のフェルミ面形状

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-09-10

著者

• 古田 知史

  東大生研

• 吉野 淳二

  東工大院理工

• 榊 裕之

  東大生研

• 吉野 淳二

  東大生研

関連論文

• 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
• 21pQG-2 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化ダイナミクス(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
• 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
• 人材育成
• 2a-A-20 ピコ秒レーザー励起超格子フォトルミネッセンスIII
• 4a-TC-5 ピコ秒レーザー励起による超格子フォトルネッセンス
• 30p-F-2 H-GaAlAs/GaAsヘテロ接合界面における二次元電子の伝導現象 : 散乱体の性質とその起源について
• 23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aPS-44 GaAs(001)上へのMnAsの界面形成過程の観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 新たなブレークスルーには何が必要か
• 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
• 特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
• 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
• 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
• 3p-A-6 半導体超格子のフェルミ面形状
• 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
• 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
• 30a-M-3 GaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴
• 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
• 17pTF-4 GaAs(001)低温成長におけるRHEED振動の異常
• 28aTA-5 低温成長GaAS(001)表面のRHEED/STM観察
• 5a-E-5 T型InGaAs量子細線からの発光の空間分布測定
• 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
• 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
• 21pPSA-3 GaAs(001)表面上におけるCr吸着(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-36 GaAs(001)表面上におけるCrおよびCrAs吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aB10 GaAsのMBE成長におけるリエントラントなRHEED振動の機構(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 15pXE-11 GaAs(001) 上の MnAs 初期成長表面の STM/BEEM 観測(表面界面電子物性, 領域 9)
• 29pWP-1 GaAs(001)低温成長における異常ラフニングII(結晶成長)(領域9)
• 28aWP-2 GaAs(001)-c(4x4)α及びβ構造の解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 20aPS-29 GaAs(001) 基板上の MnAs の成長初期構造の解析
• 28aZE-9 GaAs(001) 低温成長における異常ラフニング
• 20aWD-10 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成と磁気的性質
• 19pPSB-32 GaAs(001)面上のInAs初期形成過程の観察
• 19pPSB-12 GaAs(001)上の磁性金属薄膜のBEEM観測
• 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
• 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
• 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
• 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
• 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
• 4p-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
• 29pPSA-5 Si基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観測
• 24pPSA-30 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察II
• 半導体中のスピン関連現象の物理と応用に関する国際シンポジウム(PASPS2000)報告
• 25pTH-1 GaAs(001)表面上におけるCrAs初期成長(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 1a-Pα-25 GaAs-Al_xGa_Asヘテロ接合の磁気フォノン共鳴
• 30a-LD-6 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギーII(半導体)
• 6pPSB-14 Fe/GaAs(001)接合のBEEM観測(表面界面結晶成長,領域9)
• 7aSM-2 テンソルLEEDによるGaAs(001)-c(4×4)表面構造の再解析(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 26aKF-10 希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asにおけるスピンゼーベック効果の測定(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 9aSN-5 GaAs(001)低温成長の基板表面平坦性への依存性(表面・界面ダイナミクス,領域9)
• 24pWE-6 III-V族半導体量子ドットの励起子発光とそのダイナミクス(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24aWD-5 GaAs(001)低温MBE成長におけるAs圧依存性(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 29p-FC-1 分数量子ホール効果 : 実験(特別講演,29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 3a-D5-11 ピコ秒レーザー励起による超格子フォトルミネッセンスII(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク