25aB10 GaAsのMBE成長におけるリエントラントなRHEED振動の機構(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Reentrant RHEED intensity oscillation (RO) observed during low temperature MBE growth of GaAs has been explored by RHEED rocking curves observation during growth. Time evolution of surface coverage obtained based on dynamical diffraction calculation reveals that the origin of dumped-RO around 400℃ is due to rapid roughening, which takes place within first monolayer growth on C(4x4) surfaces.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
長島 礼人
山梨大学教育人間科学部
-
吉野 淳二
東工大院理工
-
吉野 淳二
東工大
-
吉野 淳二
東工大・工
-
吉野 淳二
東京工業大学像情報工学研究施設
-
長島 礼人
東京工業大学理学部
-
川上 拓郎
東京工業大学理工学研究科物性物理学専攻
-
川上 拓郎
東工大院理工
-
長島 礼人
山梨大教育
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