吉野 淳二 | 東工大
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概要
関連著者
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吉野 淳二
東工大
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吉野 淳二
東工大・工
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吉野 淳二
東工大院理工
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長島 礼人
山梨大学教育人間科学部
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長島 礼人
山梨大教育
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西村 朗生
東工大院理工
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長島 礼人
東工大院理工
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吉野 淳二
東工大理
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南 不二雄
東工大院理工
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長島 礼人
東工大理
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小森 達也
東工大院理工
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南 不二雄
東工大院理
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腰原 伸也
東工大院理工
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黒田 隆
東工大院理工
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川上 拓郎
東工大院理工
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石川 忠彦
東工大院理工
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木村 徹
東工大理
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田嶋 未来雄
東工大院理工
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西村 朗生
東工大理
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秋永 広幸
JRCAT
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秋永 広幸
Jrcat融合研
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山本 直紀
東工大理
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南 不二雄
北大応電研
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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岡林 潤
東工大理
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吉野 淳二
東京工業大学像情報工学研究施設
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三井 正
東工大理
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三井 正
東工大総理工
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高木 康多
東工大院理工
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柳生 数馬
東工大院理工
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南 不二夫
東工大理
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黒田 隆
東工大院理
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加来 滋
学振
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黒田 隆
物材機構
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渡辺 麻耶
東工大理
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柊元 宏
東工大・工
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岡林 潤
東工大院理工
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榎本 雄一郎
京大院理
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田嶋 未来雄
東工大理
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加来 滋
東工大院理工
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榎本 雄一郎
東工大院理工
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小川 佳宏
東工大院理工
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石原 宏
東京工業大学
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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宮西 晋太郎
JRCAT
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渡邉 恵理子
日本女子大学
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腰原 伸也
神奈川科学技術アカデミー:東工大理工
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田中 倫子
東大工
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奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
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小舘 香椎子
日本女子大学理学研究科数理・物性構造科学専攻
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山田 明
東工大
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岩本 敏
東大ナノ量子機構
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中村 淳
電通大電子
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水田 正志
東工大工
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関口 洋義
東工大院理工
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井上 雄太
東工大理
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白木 靖寛
都市大総研
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駒井 友紀
日本女子大学理学部
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五明 明子
日本電気
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駒井 友紀
日本女子大学 理学部数物科学科
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駒井 友紀
日本女子大
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尾浦 憲治郎
阪大工
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槌田 博文
オリンパス(株)
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谷川 ゆかり
産総研
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渡邉 恵理子
日本女子大学 理学部
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高井 まどか
「応用物理」編集委員会
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高井 まどか
東大
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石原 宏
東工大
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石川 和枝
上智大
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菅谷 綾子
ニコン
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島田 純子
科学技術振興機構
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下川 貴久技
KickE
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小舘 香椎子
日本女子大学 理学部数物科学科
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白木 靖寛
東京都市大学(旧武蔵工業大学)
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中村 淳
電通大
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尾浦 憲治郎
阪大
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白木 靖寛
東京都市大学
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岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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岩本 敏
東大
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細谷 剛
東工大院理工
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田中 倫子
東大
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渡辺 麻耶
東工大院理工
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荒井 俊昭
東工大院理工
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植野 友理子
東工大院理工
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小舘 香椎子
日本女子大学理学部数物科学科
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石原 宏
東工大工
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奥村 次徳
首都大学東京
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宮西 晋太郎
Jrcat融合研:筑波大物質工
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三森 康義
東工大院理工
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岡沢 大介
東工大理
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山本 観照
東工大理
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長島 礼人
東京工業大学理学部
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藤澤 利正
東工大・工
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柊 元宏
東工大工
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小森 達也
東工大院 理
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黒田 隆
東工大院 理
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石川 忠彦
東工大院 理
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吉野 淳二
東工大院 理
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南 不二雄
東工大院 理
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水田 正志
東工大・工
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山田 明
東工大量子セ
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駒宮 大介
東工大院理工
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川上 拓郎
東京工業大学理工学研究科物性物理学専攻
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鈴木 基男
東工大院理工
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長島 礼人
山梨大人間教育
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飯田 多加志
東工大院理工
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宮島 俊紀
東工大院理工
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槌田 博文
オリンパス
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豊則 祐嗣
東工大院理工
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高木 康多
東工大大学院理工
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田島 未来雄
東工大大学院理工
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西村 朗生
東工大大学院理工
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長島 礼人
東工大大学院理工
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吉野 淳二
東工大大学院理工
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高木 康多
東工大理
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西村 朗生
東工大理工
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長島 礼人
東工大理工
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吉野 淳二
東工大理工
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豊則 祐嗣
東工大院理工:神奈川科学技術アカデミー
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加来 滋
東京大院理工
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五明 明子
Nec基礎・環境研究所
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吉野 淳二
東京大院理工
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小舘 香椎子
日本女子大学
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島田 純子
科学技術振興事業団
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山上 順也
東工大院理工
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竹内 佑太
東工大院理工
著作論文
- 21pQG-2 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化ダイナミクス(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 人材育成
- 23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aPS-44 GaAs(001)上へのMnAsの界面形成過程の観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
- 17pTF-4 GaAs(001)低温成長におけるRHEED振動の異常
- 28aTA-5 低温成長GaAS(001)表面のRHEED/STM観察
- 24pPSA-14 LEED I-V法によるGaAs(001)-c(4×4)表面の構造解析
- 24pPSA-10 Mn吸着GaAs(001)面へのGaAs成長のSTM観察
- 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
- 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
- 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
- 30p-YC-6 ZnSe-MOVPE成長膜中の偏光カソードルミネッセンス分布II
- 28a-A-3 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸中のカソードルミネッセンス分布
- 31a-F-5 ZnSeーMBE成長膜の偏光カソードルミネッセンス
- 21pPSA-3 GaAs(001)表面上におけるCr吸着(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28a-C-2 化合物半導体中のDXセンター
- 4p-DR-22 GaP中の非輻射過程による点欠陥の移動
- 28p-S-11 NiSi_2(111)及びCoSi_2(111)の表面構造と緩和の比較
- 27a-PS-53 CoSi_2(111)/Si(111)表面上の窒化膜の形成
- 31a-PS-23 Si(111)面上に形成したCoSi_2(111)薄膜表面の初期窒化過程
- 8a-H-11 Si(001)-2×2-(Ag, H)の形成
- 29a-PS-10 Si(001)-(2×3)Agへの水素吸着
- 24aPS-36 GaAs(001)表面上におけるCrおよびCrAs吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aB10 GaAsのMBE成長におけるリエントラントなRHEED振動の機構(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 15pXE-11 GaAs(001) 上の MnAs 初期成長表面の STM/BEEM 観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 29pWP-1 GaAs(001)低温成長における異常ラフニングII(結晶成長)(領域9)
- 28aWP-2 GaAs(001)-c(4x4)α及びβ構造の解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 20aPS-29 GaAs(001) 基板上の MnAs の成長初期構造の解析
- 28aZE-9 GaAs(001) 低温成長における異常ラフニング
- 20aWD-10 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成と磁気的性質
- 19pPSB-32 GaAs(001)面上のInAs初期形成過程の観察
- 19pPSB-12 GaAs(001)上の磁性金属薄膜のBEEM観測
- 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
- 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
- 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
- 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
- 29pPSA-46 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成
- 29pPSA-5 Si基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観測
- 24pPSA-30 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察II
- 26aPS-15 Au吸着に伴いCoSi_2(111)/Si(111)に形成される異方的表面超構造
- 26aPS-4 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察
- 半導体中のスピン関連現象の物理と応用に関する国際シンポジウム(PASPS2000)報告
- 25pTH-1 GaAs(001)表面上におけるCrAs初期成長(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 有機金属分子線法によるワイドギャップカルコパイライト型化合物半導体のエピタキシャル成長
- 化合物半導体 (金属間化合物)
- 6pPSB-14 Fe/GaAs(001)接合のBEEM観測(表面界面結晶成長,領域9)
- 7aSM-2 テンソルLEEDによるGaAs(001)-c(4×4)表面構造の再解析(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 26aKF-10 希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asにおけるスピンゼーベック効果の測定(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 9aSN-5 GaAs(001)低温成長の基板表面平坦性への依存性(表面・界面ダイナミクス,領域9)