川上 拓郎 | 東工大院理工
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概要
関連著者
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吉野 淳二
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山梨大学教育人間科学部
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吉野 淳二
東工大・工
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長島 礼人
山梨大教育
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吉野 淳二
東京工業大学像情報工学研究施設
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京大院理
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高木 康多
東工大院理工
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長島 礼人
東京工業大学理学部
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川上 拓郎
東京工業大学理工学研究科物性物理学専攻
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榎本 雄一郎
東工大院理工
著作論文
- 25aB10 GaAsのMBE成長におけるリエントラントなRHEED振動の機構(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 29pWP-1 GaAs(001)低温成長における異常ラフニングII(結晶成長)(領域9)
- 28aWP-2 GaAs(001)-c(4x4)α及びβ構造の解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 20aPS-29 GaAs(001) 基板上の MnAs の成長初期構造の解析
- 28aZE-9 GaAs(001) 低温成長における異常ラフニング
- 9aSN-5 GaAs(001)低温成長の基板表面平坦性への依存性(表面・界面ダイナミクス,領域9)
- 24aWD-5 GaAs(001)低温MBE成長におけるAs圧依存性(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))