吉野 淳二 | 東工大院理工
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概要
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吉野 淳二
東工大院理工
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吉野 淳二
東工大
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東工大・工
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長島 礼人
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山梨大学教育人間科学部
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山梨大教育
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南 不二雄
東工大院理
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南 不二雄
東工大院理工
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川上 拓郎
東工大院理工
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腰原 伸也
東工大院理工
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黒田 隆
東工大院理工
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小森 達也
東工大院理工
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石川 忠彦
東工大院理工
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榊 裕之
東大生研
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川路 紳治
学習院大理
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吉野 淳二
東大生研
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高木 康多
東工大院理工
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秋永 広幸
JRCAT
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榊 裕之
東大生産研
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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岡林 潤
東工大理
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秋永 広幸
Jrcat融合研
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関口 洋義
東工大院理工
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吉野 淳二
東京工業大学像情報工学研究施設
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吉野 淳二
東大生産研
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柳生 数馬
東工大院理工
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黒田 隆
東工大院理
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木戸 義勇
東大物性研
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加来 滋
学振
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木戸 義勇
物材機構
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南 不二雄
北大応電研
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若林 淳一
学習院大理
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榊 裕之
東京大学生産技術研究所
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黒田 隆
物材機構
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渡辺 麻耶
東工大理
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関口 芳信
東大生研
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岡林 潤
東工大院理工
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榎本 雄一郎
京大院理
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久保木 慶樹
学習院大理
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南部 利明
学習院大理
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滋野 博之
学習院大理
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田嶋 未来雄
東工大院理工
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南 不二夫
東工大理
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加来 滋
東工大院理工
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榎本 雄一郎
東工大院理工
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三浦 登
東大物性研
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後藤 恒昭
東大物性研
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嶽山 正二郎
東大物性研
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榊原 俊郎
東大物性研
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小川 佳宏
東工大院理工
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石原 宏
東京工業大学
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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宮西 晋太郎
JRCAT
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渡邉 恵理子
日本女子大学
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古田 知史
東大生研
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木戸 義勇
東北大金研
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中尾 公一
東大物性研
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田中 倫子
東大工
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吉広 和夫
電総研
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山内 睦子
電総研
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木下 攘止
電総研
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奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
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西周 慶久
東工大院理工
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小舘 香椎子
日本女子大学理学研究科数理・物性構造科学専攻
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山田 明
東工大
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榊 裕之
東大先端研
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榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
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榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
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榊 裕之
(社)応用物理学会
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岩本 敏
東大ナノ量子機構
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中村 淳
電通大電子
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天内 英貴
三菱化学オプト技開セ
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長尾 哲
三菱化学オプト技開セ
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天内 英貴
三菱化学科学技術研究センター
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長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
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井上 雄太
東工大理
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吉野 淳二
東工大理
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白木 靖寛
都市大総研
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駒井 友紀
日本女子大学理学部
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五明 明子
日本電気
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駒井 友紀
日本女子大学 理学部数物科学科
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駒井 友紀
日本女子大
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尾浦 憲治郎
阪大工
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槌田 博文
オリンパス(株)
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谷川 ゆかり
産総研
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渡邉 恵理子
日本女子大学 理学部
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高井 まどか
「応用物理」編集委員会
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高井 まどか
東大
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石原 宏
東工大
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石川 和枝
上智大
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菅谷 綾子
ニコン
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島田 純子
科学技術振興機構
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下川 貴久技
KickE
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小舘 香椎子
日本女子大学 理学部数物科学科
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白木 靖寛
東京都市大学(旧武蔵工業大学)
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長尾 哲
三菱化学オプトエレクトロニクス研究所
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中村 淳
電通大
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尾浦 憲治郎
阪大
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白木 靖寛
東京都市大学
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岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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岩本 敏
東大
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細谷 剛
東工大院理工
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田中 倫子
東大
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関口 芳信
東大生産研
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渡辺 麻耶
東工大院理工
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荒井 俊昭
東工大院理工
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植野 友理子
東工大院理工
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小舘 香椎子
日本女子大学理学部数物科学科
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榊原 敏郎
北大院理
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川口 洋一
学習院女子短大
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川口 洋一
学習院女子大学
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石原 宏
東工大工
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Herlach F.
Katholieke Universiteit Leuven
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片野 築
学習院大理
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川口 洋一
学習院大理
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奥村 次徳
首都大学東京
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宮西 晋太郎
Jrcat融合研:筑波大物質工
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三森 康義
東工大院理工
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長島 礼人
東京工業大学理学部
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長尾 哲
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター
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榊 裕之
生産技術研究所
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榊 裕之
豊田工業大学
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山田 明
東工大量子セ
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駒宮 大介
東工大院理工
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川上 拓郎
東京工業大学理工学研究科物性物理学専攻
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鈴木 基男
東工大院理工
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長島 礼人
山梨大人間教育
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飯田 多加志
東工大院理工
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宮島 俊紀
東工大院理工
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槌田 博文
オリンパス
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豊則 祐嗣
東工大院理工
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豊則 祐嗣
東工大院理工:神奈川科学技術アカデミー
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加来 滋
東京大院理工
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五明 明子
Nec基礎・環境研究所
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吉野 淳二
東京大院理工
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小舘 香椎子
日本女子大学
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島田 純子
科学技術振興事業団
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山上 順也
東工大院理工
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竹内 佑太
東工大院理工
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長尾 哲
三菱化学(株)オプト技開センター
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天内 英貴
三菱化学(株)オプト技開センター
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榊 裕之
東京大学生研
著作論文
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 21pQG-2 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化ダイナミクス(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 人材育成
- 23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aPS-44 GaAs(001)上へのMnAsの界面形成過程の観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
- 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
- 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
- 3p-A-6 半導体超格子のフェルミ面形状
- 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
- 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
- 30a-M-3 GaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
- 17pTF-4 GaAs(001)低温成長におけるRHEED振動の異常
- 28aTA-5 低温成長GaAS(001)表面のRHEED/STM観察
- 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
- 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
- 21pPSA-3 GaAs(001)表面上におけるCr吸着(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-36 GaAs(001)表面上におけるCrおよびCrAs吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aB10 GaAsのMBE成長におけるリエントラントなRHEED振動の機構(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 15pXE-11 GaAs(001) 上の MnAs 初期成長表面の STM/BEEM 観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 29pWP-1 GaAs(001)低温成長における異常ラフニングII(結晶成長)(領域9)
- 28aWP-2 GaAs(001)-c(4x4)α及びβ構造の解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 20aPS-29 GaAs(001) 基板上の MnAs の成長初期構造の解析
- 28aZE-9 GaAs(001) 低温成長における異常ラフニング
- 20aWD-10 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成と磁気的性質
- 19pPSB-32 GaAs(001)面上のInAs初期形成過程の観察
- 19pPSB-12 GaAs(001)上の磁性金属薄膜のBEEM観測
- 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
- 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
- 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
- 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
- 29pPSA-5 Si基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観測
- 24pPSA-30 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察II
- 半導体中のスピン関連現象の物理と応用に関する国際シンポジウム(PASPS2000)報告
- 25pTH-1 GaAs(001)表面上におけるCrAs初期成長(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6pPSB-14 Fe/GaAs(001)接合のBEEM観測(表面界面結晶成長,領域9)
- 7aSM-2 テンソルLEEDによるGaAs(001)-c(4×4)表面構造の再解析(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 26aKF-10 希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asにおけるスピンゼーベック効果の測定(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 9aSN-5 GaAs(001)低温成長の基板表面平坦性への依存性(表面・界面ダイナミクス,領域9)
- 24pWE-6 III-V族半導体量子ドットの励起子発光とそのダイナミクス(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24aWD-5 GaAs(001)低温MBE成長におけるAs圧依存性(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))