川口 洋一 | 学習院女子短大
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概要
関連著者
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川口 洋一
学習院女子短大
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川口 洋一
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永野 弘
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小野 高義
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北原 洋明
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小田 祺景
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安江 常夫
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高木 祥示
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山田 吉孝
プラズマ研
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後藤 哲二
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一宮 彪彦
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重田 諭吉
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安江 常夫
プラズマ研
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一宮 彪彦
日女大理
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南部 利明
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加藤 秀明
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榊 裕之
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近藤 一史
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吉野 淳二
東工大院理工
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大谷 俊介
名大プラズマ研究所
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田沢 雄二
京大理
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斎藤 弥八
プラズマ研
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斎藤 弥八
三重大工
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久保木 慶樹
学習院大理
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吉野 淳二
東大生産研
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日野 利彦
名大プラ研
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高柳 功
学習院大・理
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納谷 明彦
学習院大
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小田 棋景
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後藤 哲二
学習院女子短大
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重田 諭吉
横浜市大文理
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日野 利彦
名大プラズマ研
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後藤 哲二
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田沢 雄二
京大・理
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重田 諭吉
横浜市大・文理
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鈴木 孝章
学習院大理
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馬場 俊祐
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高田 正保
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伊知地 国夫
学習院大学理学部
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北原 洋明
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大神 正康
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中司 昌志
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伊知地 国夫
埼玉大学教育学部理科教育講座物理学教室
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大谷 俊介
名大プラズマ研
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高柳 功
学習院大理
著作論文
- 27a-H-2 落下時間をストップウオッチではかる重力加速度の測定
- 27p-D-1 アルカリハライドからの中性原子脱離
- 3a-S-7 アルカリハライドからのイオン脱離
- 健康とエネルギー : エネルギー消費の制限速度の見積り
- 最適入学者数確保のための入試合格者数決定法
- 学生実験用データ収集装置の製作
- 4a-B-2 Si MOS 反転層の負磁気抵抗
- 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
- 4a-M-6 酸化膜のないSi表面反転層の電気伝導
- 4a-H-6 InAs表面異常伝導の縦電場効果
- 27p-G-2 InAs MISFET n型反転層の電気伝導
- 30a-RB-9 InAs表面n型反転層弱局在領域の電気伝導
- 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
- 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
- 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
- 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
- 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
- 4a-NM-5 イオン衝撃による固体表面上での発光
- 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
- 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
- 30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
- 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
- 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
- 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
- 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
- 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
- Si-MOS n型反転層内のアンダ-ソン局在と負磁気抵抗
- 2a GA-4 Si-MOS反転層のフォノン散乱と負磁気抵抗効果
- 5p-DR-19 Si-MOSn型反転層の負磁気抵抗効果-(100)面
- 31p-CA-10 Si-MOS n型反転層の負磁気抵抗効果
- 12a-H-7 Cs吸着Si表面反転層の負磁気抵抗効果
- 6a-B-9 セシウム吸着シリコン表面反転層の強電界効果
- 11a-F-6 Csを吸着させたP-Si(III)表面の電気的性質
- 3p-R-11 Csを吸着させたP型Si(111)表面の電気的性質
- 14aM-6 Csを吸着させたreal Si表面の電気的性質
- 23a-G-6 Si-Csの電気的性質
- 4p-K-7 InAs表面の電流磁気効果
- 4a-TC-2 陽極酸化InAs表面反転層の異常伝導 II
- 18p-A-2 InAs劈開清浄面の磁気抵抗効果
- InAs表面二次元伝導の抵抗と磁気抵抗の異常 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-11 InAsの電界量子極限における異常磁気抵抗効果
- 12a-K-7 InAs劈開面の表面電気伝導
- InAsの表面Corbino効果 : 半導体(表面)
- 30a-FC-10 P型InAs/SiO_2界面反転層の異常磁気抵抗効果(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))