学生実験用データ収集装置の製作
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 27a-H-2 落下時間をストップウオッチではかる重力加速度の測定
- 27p-D-1 アルカリハライドからの中性原子脱離
- 3a-S-7 アルカリハライドからのイオン脱離
- 健康とエネルギー : エネルギー消費の制限速度の見積り
- 最適入学者数確保のための入試合格者数決定法
- 学生実験用データ収集装置の製作
- 4a-B-2 Si MOS 反転層の負磁気抵抗
- 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
- 4a-M-6 酸化膜のないSi表面反転層の電気伝導
- 4a-H-6 InAs表面異常伝導の縦電場効果
- 27p-G-2 InAs MISFET n型反転層の電気伝導
- 30a-RB-9 InAs表面n型反転層弱局在領域の電気伝導
- 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
- 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
- 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
- 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
- 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
- 4a-NM-5 イオン衝撃による固体表面上での発光
- 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
- 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
- 30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
- 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
- 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
- 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
- 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
- 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
- Si-MOS n型反転層内のアンダ-ソン局在と負磁気抵抗
- 2a GA-4 Si-MOS反転層のフォノン散乱と負磁気抵抗効果
- 5p-DR-19 Si-MOSn型反転層の負磁気抵抗効果-(100)面
- 31p-CA-10 Si-MOS n型反転層の負磁気抵抗効果
- 12a-H-7 Cs吸着Si表面反転層の負磁気抵抗効果
- 6a-B-9 セシウム吸着シリコン表面反転層の強電界効果
- 11a-F-6 Csを吸着させたP-Si(III)表面の電気的性質
- 3p-R-11 Csを吸着させたP型Si(111)表面の電気的性質
- 14aM-6 Csを吸着させたreal Si表面の電気的性質
- 23a-G-6 Si-Csの電気的性質
- 4p-K-7 InAs表面の電流磁気効果
- 4a-TC-2 陽極酸化InAs表面反転層の異常伝導 II
- 18p-A-2 InAs劈開清浄面の磁気抵抗効果
- InAs表面二次元伝導の抵抗と磁気抵抗の異常 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-11 InAsの電界量子極限における異常磁気抵抗効果
- 12a-K-7 InAs劈開面の表面電気伝導
- InAsの表面Corbino効果 : 半導体(表面)
- 30a-FC-10 P型InAs/SiO_2界面反転層の異常磁気抵抗効果(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))