3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在

元データ 1984-09-10 社団法人日本物理学会

著者

小田 祺景 東大物性研
川路 紳治 学習院大理
永野 弘 東大物性研
小野 高義 東大物性研
川口 洋一 学習院女子短大
川口 洋一 学習院女子大学

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