小野 高義 | 東大物性研

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概要

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• 小野 高義

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  学習院大理

• 川口 洋一

  学習院女子短大

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  群馬大工

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著作論文

• 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
• 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
• 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
• 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
• 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
• 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
• 3a-B-2 1T-TaS_2の極低温での比抵抗
• 3p-F-15 Si-MOS反転層の低温での非弾性散乱時間
• 1p-KH-5 Si-MOS反転層の伝導率の温度依存性
• 13a-D-3 Sbの蒸着薄膜における電子局在
• 1a-P-5 CMN,La-CHN,NBS温度点素子によるmk温度測定
• 31a-Q-2 mK領域における超伝導近接効果
• 2a-J-3 大型稀釈冷凍機の開発
• 1a-J-4 ゲラファイト ホイスカーの低温電気伝導
• 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)

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