川路 紳治 | 学習院大理

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概要

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• 岡本 徹

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  電総研

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  電総研

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  学習院大学理学部

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  都市大総研

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• 白木 靖寛

  東大先端研

• 細谷 邦雄

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• 佐藤 収一

  学習院大理

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 平川 一彦

  東大生産研

• 飯塚 恒充

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• 久我 剛

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• 関澤 俊弦

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• 田中 啓安

  東大物性研

• 川島 洋徳

  理研

• 中司 昌志

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• 楠田 公明

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• 楠田 公明

  学習院大理

• 鈴木 純児

  学習院大理

• 吉野 淳二

  東工大院理工

• 遠藤 忠

  電総研

• 村山 泰

  電総研

• 小柳 正男

  電総研

• 数藤 哲

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• 森田 清明

  学習院大 理

• 吉野 淳二

  東大生研

• 平川 一彦

  東京大

• 村山 泰

  電子技術総合研究所

• 石川 康彦

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• 小池 洋二

  東北大工

• 謝花 良貴

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• 深野 敦之

  学習院大 理

• 川路 紳治

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• 南部 利明

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• 金子 桂

  東大物性研

• 関澤 俊弦

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• 五十嵐 達治

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• 本河 光博

  東北大金研

• 菅野 暁

  東大物性研

• 村田 好正

  東大物性研

• 左近 拓男

  東北大金研

• 伊達 宗和

  Ntt 入出力システム研究所

• 伊達 宗和

  日本電信電話株式会社nttサイバースペース研究所

• 伊達 宗和

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 伊達 宗和

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  日本電信電話(株)

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• Date Munekazu

  Ntt Cyber Space Laboratories Ntt Corporation

• 後藤 貴之

  東北大金研

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• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

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  東京大学先端科学技術研究センター

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  東大先端研

• 倉田 由佳

  アネルバ(株)

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• 寺倉 清之

  融合研

• 寺倉 清之

  東大物性研

• 早川 和延

  日立中研

• 川路 紳治

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• 中村 孔一

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  通研

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  通研

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  東大生産研

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  NPC

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• 湯谷 明栄

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• 深野 敦之

  学習院大学大学院自然科学研究科物理学専攻

• 畑中 勝則

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• 恩賀 伸二

  東芝IC研

• 長尾 真人

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• Kawaji Shinji

  Department Of Physics And Chemistry Gakushuin University

• Okamoto Tohru

  Department Of Physics Gakushuin University

• 江沢 洋

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• 家 泰弘

  東大物性研

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  東大物性研

• 斯波 弘行

  東大・物性研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 金森 順次郎

  阪大

• 杉山 耕一

  通研

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• 斯波 弘行

  東大物性研

• 菊池 信恭

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• 菊池 信恭

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• 佐久間 哲郎

  北大工

• 山本 恵彦

  日立中研

• 平木 昭夫

  阪大工

• 中村 孔一

  明大和泉校舎

• 金森 順次郎

  阪大理

• 宇佐美 誠二

  横浜国立大学工学部

• 宇佐美 誠二

  横浜国大工

• 大川 章哉

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• 小栗 多計夫

  都立大理

• 田中 憲明

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• 小林 秋男

  通 研

• 織田 善次郎

  通 研

• 荒田 光

  通 研

• 杉山 耕一

  通 研

• 北原 洋明

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• 片野 築

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• 加藤 秀明

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• 加藤 秀明

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• 納谷 明彦

  学習院大

• 小田 棋景

  東大物性研

• 鈴木 孝章

  学習院大・理

• 鈴木 孝章

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• 安田 幸夫

  東芝ic研

• 謝花 良喜

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• 岡元 徹

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• Small G.W

  CSIRO-NML

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  CSIRO-NML

• 奥野 史晴

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• 戸谷 富之

  北大触媒研

• 安盛 岩雄

  東工大理

• Kuga Takeshi

  Department Of Physics Gakushuin University

• 平河 克靖

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• 中村 彬

  電総研

• SUZUKI Junji

  Department of Pediatric Dentistry, Hiroshima University School of Dentistry,

• 安藤 恒也

  東大理

• KAWAJI Shinji

  Department of Physics,Gakushuin University

• 小栗 多計夫

  都立大 理

• 平川 和彦

  東大生産研

• SHIMADA Takako

  Department of Obstetrics and Gynecology, Nagasaki University Graduate School of Biomedical Sciences

• 平河 克靖

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• 宇野 伸一郎

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• 宇野 伸一郎

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• 荒田 光

  電通研

• 小林 秋男

  電通研

• 佐藤 収

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• Suzuki Junji

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• Suzuki Junji

  Department Of Physics Gakushuin University

• 北原 洋明

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• Huff H.

  Mit

• Shimada Takako

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• Okamoto Tohru

  Department of Physics, Gakushuin University

• IIZUKA Hisamitsu

  Department of Physics,Gakushuin University

• Iizuka Hisamitsu

  Department Of Physics Gakushuin University

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著作論文

• 31a-Z-2 量子化ホール抵抗の高精度測定IV
• 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
• 28a-R-13 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質
• コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
• 3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン
• 3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V
• 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
• 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
• 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
• 3p-F-12 量子ホール効果状態における低周波雑音
• 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
• 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
• 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
• 2p-A-8 Si-MOSFETのHall効果の精密測定 V
• 2p-A-7 Si-MOSFETの量子ホール抵抗の10mk付近での測定
• 2p-A-6 mK温度域のSi-MOS反転層の電気伝導
• 1a-Pα-23 Liq.^3He温度におけるSi-MOSFETのHall抵抗
• 5a-NL-9 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定IV
• 5a-NL-8 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定III
• 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
• 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
• 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
• 特集にあたって(表面物性 I. 表面界面の諸問題)
• 30p-Q-4 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊II
• 30p-Q-3 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性III
• 30p-Q-4 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊II
• 30p-Q-3 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性III
• 8a-N-5 量子ホール抵抗の高電流による崩壊
• 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性 II
• 8a-N-5 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊
• 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性II
• 28a-R-13 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質
• 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
• 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
• 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
• 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
• 9a-M-5 Geの表面伝導
• コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
• 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
• 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
• 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
• 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
• 3a-Eー8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン
• 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
• 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
• 12a-K-9 量子ホール効果のブレークダウン
• 12a-K-9 量子ホール効果のブレークダウン
• 28a-C-4 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・V
• 3a-F-3 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・III
• 31a-Z-1 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・II
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
• 13a-H-3 酸化膜のないSi表面反転層の電気伝導
• 27p-G-2 InAs MISFET n型反転層の電気伝導
• 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
• 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
• 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
• 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
• 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
• 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
• 28a-ZB-6 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊III
• 28a-ZB-6 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊III
• 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
• 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
• 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
• 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
• 30a-Q-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs2次元系の複合フェルミオンの電気的性質II
• 30a-Q-8 低温強磁場下のGaAs/AIGaAs2次元系の複合フェルミオンの電気的性質II
• 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
• 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
• 量子化ホール抵抗とブレークダウン
• 29a-M-9 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウンII
• 29a-M-9 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン II
• 4a-J-13 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン
• 4p-J-14 量子化ホール抵抗の高精度測定
• 4p-J-13 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン
• 23aL-8 分数量子ホール効果の高精度測定
• 17pYG-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 温度依存性II
• 17pYG-4 量子化ホール抵抗の崩壊 : ランダウ準位充填率依存性II
• 17pYG-3 量子化ホール抵抗の崩壊 : 磁場角度依存性II
• 27pTC-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 磁場角度依存性
• 23pSA-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 温度依存性
• 3p-F-15 Si-MOS反転層の低温での非弾性散乱時間
• 1p-KH-5 Si-MOS反転層の伝導率の温度依存性
• GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
• GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
• 27a-W-1 Si-MOS2次元電子系の異常磁気抵抗効果
• 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
• 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
• 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
• 30a-RB-10 Si-MOSFETn型反転層における非弾性散乱時間と谷間散乱
• 9a-B-18 半導体の表面二次元伝導と表面波 III
• 4a-C-6 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在
• 6a-A2-2 ν
• 22pL-7 2次元系の金属・絶縁体転移とスピン自由度
• 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
• 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
• 第2回固体表面国際会議
• 28a-R-7 Si-MOSFET2次元電子系における強局在領域での磁気抵抗
• 28a-R-7 Si-MOSFET 2次元電子系における強局在領域での磁気抵抗
• 26a-ZH-2 量子ホール効果状態におけるプラトー巾の試料巾依存性
• 6a-B-8 MOS-SOS反転層のサブバンド構造と電子移動度
• 30p-K-8 Si-MOS反転層内の電子のHall効果の精密測定
• 20L-20 Geの表面伝導
• 12a-H-7 Cs吸着Si表面反転層の負磁気抵抗効果
• 4a-TC-2 陽極酸化InAs表面反転層の異常伝導 II
• 2p-H-11 InAsの電界量子極限における異常磁気抵抗効果
• 12a-K-7 InAs劈開面の表面電気伝導
• InAsの表面Corbino効果 : 半導体(表面)
• Collapse of Quantized Hall Resistance and Breakdown of IQHE in GaAs/AlGaAs Heterostructures
• 30p-K-4 強磁場下のシリコンN(001)反転層のホール効果と電子局在
• 5p-DR-17 Si(100)近傍面MOS反転層の伝導特性
• 12a-H-5 SiMOS反転層の強磁場電気伝導:局在状態
• 12a-H-4 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
• 強磁場下のSi-MOS反転層におけるσ_=0状態の性質(実験)- Wigner結晶?(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
• 2p-A-9 シリコン(001)MOS反転層の強磁場下の電子局在
• 1a-Pα-24 Si-MOS反転層の強磁場ホール電導率の温度依存性の解析
• 5a-NL-7 Si-MOS反転層内電子のHall効果の精密測定II
• 5a-NL-6 Si-MOS N(100)反転層の強磁場電気伝導
• 30p-K-1 InAs表面反転層での異常電気伝導
• 28pYS-5 量子固体相におけるアハラノフ・ボーム効果と強相関金属相
• 28pYS-5 量子固体相におけるアハラノフ・ボーム効果と強相関金属相
• 22pF-5 量子ホール効果と抵抗標準
• 3p-R-10 シリコン表面反転層の量子輸送;σxxとσxy
• 14aM-5 シリコン表面反転層の量子輸送;ホール効果
• 4a-KL-13 シリコン表面の量子伝導-ホール効果-
• せまい表面空間電荷層内のキャリア移動度に対する磁場の効果 : 半導体
• 3p-G-9 シリコン表面準位の熱処理効果
• 1a-Pα-21 Si-MOS-(11n)反転層におけるミニギャップの基板バイァスと応力依存性
• 5a-NL-5 Si(n11)及び(n01)面MOS反転層の電気伝導
• 12a-H-6 Si-MOS反転層の局在状態(II)
• 12a-H-2 Si-MOS反転層の移動度の異方性
• 7p-B-7 InAs表面の超伝導実験
• InAs表面反転層の超伝導(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
• 5a-W-12 InAs表面の超伝導204
• 12a-K-12 Si-MOS反転層における負の磁気抵抗によるホットエレクトロン効果
• 12a-K-12 Si-MOS反転層における負の磁気抵抗によるホットエレクトロン効果
• 29a-M-14 シリコンMOS2次元電子系における強磁場量子極限領域での局在現象II
• 29a-M-14 シリコンMOS 2次元電子系における強磁場量子極限領域での局在現象 II
• 4a-J-12 シリコンMOS 2次元電子系における強磁場量子極限領域での局在現象
• 4p-J-12 シリコンMOS 2次元電子系における強磁場量子極限領域での局在現象
• 28p-L-13 Si-MOS二次元電子系の局在現象II
• 28p-L-13 Si-MOS二次元電子系の局在現象II
• 12a-K-11 シリコンMOS二次元電子系の局在現象
• 12a-K-11 シリコンMOS二次元電子系の局在現象
• 12a-K-6 Si表面準位の熱処理効果(II)
• Stain Filmの性質 : 半導体(表面)
• 安定化させたSi表面の電気的性貭II : 高温酸化,低温酸化(Stain Filmの酸化)} : 半導体 : 結晶成長
• SiP-N junctionのGeneration-Recombination Center III : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• InSb劈開面の表面電位 : 半導体(表面)
• InSbのAB面の電気的性質IV(半導体(化合物))
• InSbのA,B面の電気的性質 III : 半導体
• 12a-H-3 SOSMOS反転層の強磁場電気伝導
• 11a-F-3 シリコンMOSの表面光電圧分光測定
• 劈開法による半導体表面の研究 II : 半導体
• 14p-A-12 壁開法による半導体表面の研究 I
• 2p-A-12 InAs・SiO_2界面の電気伝導
• ウィグナ-固体の磁性とアハラノフ・ボ-ム効果
• 2a-N-3 半導体界面ウィグナー固体における多体交換とアハラノフ・ボーム効果
• 2a-N-3 半導体界面ウィグナー固体における多体交換とアハラノフ・ボーム効果
• 2a-N-3 半導体界面ウィグナー固体における多体交換とアハラノフ・ボーム効果
• 5p-PSA-21 ウィグナー固体の磁性とAharonov-Bohm効果
• 18p-A-3 陽極酸化InAs表面反転層の異常伝導
• 12a-A-3 InSbの(III)面と(TTT)面の電気的性貭 I
• 安定化させたSi表面の電気的性質III : 表面準位と酸化膜中の電荷 : 半導体(表面)
• 4p-A-10 CdTeのA,B面の電気的性質I
• 28a-R-8 Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果II
• 28a-R-8 Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果 II
• Possible Ring-Exchange Interaction and Aharonov-Bohm Effect in Two-Dimensional Electron Solids
• Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果
• Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果
• 2p-L1-8 v
• 30a-LD-6 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギーII(半導体)
• 30a-LD-2 Si-MOSFETの電気伝導度のfluctuations(半導体)
• 3a-L2-1 SiMOSFETの電気伝導度のfluctuations(III)(半導体,(MOS,黒リン))
• 30a-LD-1 強磁場下のSi-MOS2次元系の対角ならびにホール伝導率のスケーリング則(半導体)
• 26pXP-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 温度依存性III(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 3a-E-2 Si-MOSFETの巨大磁気抵抗の角度依存性(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
• 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 3a-E-8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
• 29p-FC-5 量子化ホールステップの幅(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 29p-FC-1 分数量子ホール効果 : 実験(特別講演,29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 29p-FC-6 シリコンMOS反転層の強磁場電気伝導 : 低周波依存(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)

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