佐々木 義智 | 群馬大学工学部
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概要
関連著者
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佐々木 義智
群馬大学工学部
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佐々木 義智
群馬大学
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佐々木 義智
群馬大工
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伊藤 和男
群馬大学
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伊藤 和男
群馬大工
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岡部 勝也
群馬県立医療短期大学
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田沼 静一
群馬大工
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家 泰弘
東大物性研
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田沼 静一
いわき明星大
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伊藤 和男
群馬大学工学部
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弓仲 康史
群馬大学
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菊池 修一
三洋電機(株)半導体事業本部
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名野 隆夫
三洋電機MOS-LSI事業部
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岩津 勝彦
三洋電機MOS-LSI事業部
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西部 栄次
三洋電機MOS-LSI事業部
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鈴木 琢也
三洋電機MOS-LSI事業部
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小林 春夫
群馬大学工学部
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名野 隆夫
三洋電機(株)半導体事業本部
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岩津 勝彦
三洋電機(株)半導体事業本部
-
菊地 修一
三洋電機(株)半導体事業本部
-
西部 栄次
三洋電機(株)半導体事業本部
-
鈴木 琢也
三洋電機(株)半導体事業本部
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名野 隆夫
三洋電機株式会社半導体カンパニー
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名野 隆夫
三洋電機(株)メモリー開発部
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岡部 勝也
群馬大工
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小林 春夫
群馬大学 工学部
-
弓仲 康史
群馬大学工学部
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菊池 修一
三洋電機MOS-LSI事業部
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為ケ井 強
東大物性研
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岡部 勝也
群馬大学
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小林 嶺夫
高エ研
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田沼 静一
いわき明星大理工
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野口 克也
群馬大工
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光石 知国
上武大学経営情報学部経営情報学科
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岡部 勝也
群馬大.工
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岡部 勝也
群馬大
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佐々木 義智
群馬大
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菊地 修一
三洋電機MOS-LSI事業部
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永野 弘
東大物性研
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佐藤 博
群馬大工
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小野 高義
東大物性研
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岡部 勝也
群馬大学工学部電子工学科
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本島 邦行
群馬大学工学部
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保坂 純男
群馬大学 大学院工学研究科
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傘 昊
群馬大学工学部電気電子工学科
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保坂 純男
群馬大学大学院工学研究科
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保坂 純男
群馬大学 ; 工学部電気電子工学科
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小林 春夫
群馬大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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傘 昊
群馬大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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高井 伸和
群馬大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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山越 芳樹
群馬大学工学部
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山越 芳樹
群馬大学 工学部
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小田 祺景
東大物性研
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小田 祺景
阪大基礎工
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田中 功
山梨大工
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児島 弘道
山梨大工
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児島 弘直
山梨大工
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小黒 勇
物性研
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為ヶ井 強
東大物性研
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永野 弘
物性研
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小林 嶺夫
群馬県立医療短期大学
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小林 嶺夫
高工研
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小林 春夫
群馬大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
-
田中 功
山梨大院医工
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傘 昊
東京都市大学
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弓仲 康史
群馬大学 大学院工学研究科
-
山越 芳樹
群馬大学大学院工学研究科
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山越 芳樹
群馬大工
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山越 芳樹
群馬大学 工学部 電気電子工学科
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Yamakoshi Y
Faculty Of Engineering Gunma University
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阿部 忠
群馬大工
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高井 伸和
群馬大学 大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
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高井 伸和
東京工芸大学工学部システム電子情報学科
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大谷 杉郎
東海大学開発工学部素材工学科
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小林 嶺夫
KEK
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潮 真澄
群馬大工
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大谷 杉郎
Research Institute Of Science And Technology Tokai University
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岡部 勝也
群大工
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石川 均
群馬大学
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光石 友国
群馬大学
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家 泰弘
東大性研
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渡辺 実
群馬大工
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深沢 真一
群馬大工
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岩目地 和明
群馬大工
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休々木 義智
群馬大工
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田沼 靜一
いわき明星大理工
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小田 棋景
東大物性研
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須藤 実
群馬大工
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金子 友彦
東海大学開発工学部
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于 洪〓
科学技術振興事業団吉村π電子物質プロジェクト
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吉村 進
科学技術振興事業団吉村π電子物質プロジェクト
-
小野 高義
物性研
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本島 邦行
群馬大学
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武井 敏記
群馬大学 工学部
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佐々木 義智
群馬大学 工学部
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家泰 弘
東大物性研
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佐々木 義智
群大工
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大谷 杉郎
東海大 開発工
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佐々木 義智
群馬大学工学部電気電子工学科
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金子 友彦
東海大学開発工学部物質化学科
-
傘 昊
東京都市大学大学院工学研究科情報工学専攻
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于 洪按
科学技術振興事業団吉村π電子物質プロジェクト
-
小林 春夫
群馬大学
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須藤 二全
群馬大
-
高井 伸和
群馬大学
著作論文
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 群馬県のアナログ技術者育成の取り組み
- 28p-APS-73 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(6)
- Y_1Ba_2Cu_3Ox酸化物超伝導体の酸素濃度制御
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 厚膜VO_2スイチング素子の開発
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 30p-N-3 n+nn+構造Siダイオードの低温光伝導IV
- 26a-ZG-7 n^+nn^+構造Siダイオードの低温光伝導 III : 非縮退電子ガスにおける磁気抵抗ゆらぎ
- 29p-X-10 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導 II
- 28a-C-2 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導
- 27a-C-1 Bi/Sb超格子膜電気特性の界面混合率依存性
- 30p-TB-11 不純物ドープSi極微細線の電気伝導
- 3p-E4-3 CaYbエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象
- 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
- レ-ザ-・アニ-ルの現状と諸問題--シリコンを例として
- 28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
- 27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
- A-5-20 スペクトル拡散技術を用いた高効率情報伝送に基づく情報処理システム
- 直交系列に基づくウェーブパラレルコンピューティングシステム
- 直交M系列に基づくアナログニューラルネットワークの構成
- 直交系列を用いたウェーブパラレルコンピューティングシステムの構成 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 振幅変調波に基づくアナログニューラルネットワーク
- 多結晶シリコン層からのひ素拡散シミュレ-ション
- 28p-APS-72 ハロゲン化合物をインターカレートしたBi系酸化物超伝導体の高周波特性
- 25a-PS-32 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性(2)
- 31p-PS-92 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性
- 粉末X線回折によるホウケイ酸鉛ガラスに対するVO_2の溶解挙動の測定
- 6p-Z-8 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導 (5)
- 五酸化バナジウム厚膜へのルビーレーザー照射効果
- VO2厚膜素子のレ-ザ-焼結
- 新形式のブラシなし直流速度発電機について
- 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜(2) : 炭素質薄膜の電子物性
- 30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
- 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
- 29p-W-6 Ca-Ybエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象II(29p W 金属)
- 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
- 30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)