28p-APS-73 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(6)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
-
佐々木 義智
群馬大学工学部
-
田中 功
山梨大工
-
児島 弘道
山梨大工
-
児島 弘直
山梨大工
-
田沼 静一
いわき明星大理工
-
田中 功
山梨大院医工
-
小林 嶺夫
KEK
-
岡部 勝也
群馬大工
-
潮 真澄
群馬大工
-
佐々木 義智
群馬大工
-
田沼 静一
いわき明星大
-
岡部 勝也
群馬県立医療短期大学
関連論文
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 6a-Y-10 (La, Sr)_2CuO_4単結晶の常伝導、 超伝導特性の異方性
- 3p-Z-7 LSCO単結晶のH_及びJ_cの異方性
- 31p-TA-7 酸化物高温超伝導体の超伝導転移領域における輸送現象
- 28p-PSA-26 La_Sr_xCuO_4の超伝導と弾性異常
- 15p-T-6 単結晶La_Sr_xCuO_4の比熱と弾性定数
- 29a-W-10 単結晶La_Sr_xCuO_4の熱膨張率
- 29a-W-9 単結晶La_Sr_xCuO_4の磁場中における弾性定数
- 27p-YF-7 LSCO単結晶の超伝導転移における格子歪み
- 3a-YD-10 高分解能X線回折によるLa_Sr_xCuo_4結晶の評価II
- 31a-YH-11 高分解能X線回折によるLa_Sr_xCuO_4結晶の評価
- 25p-Q-13 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
- 29a-YP-8 低次元磁性体CuGeO_3の構造II
- 29a-W-11 La_Sr_CuO_4単結晶の強磁場下における弾性異常
- 25p-Q-9 La_Sr_CuO_4単結晶の磁場中での超音波実験
- 30p-A-9 La_Sr_CuO_4単結晶の弾性異常に対する磁場効果
- 30p-APS-26 La_Sr_CuO_4単結晶の磁場中における超音波実験
- 4a-TA-5 La1.86Sr0.14CuO_4の低温X線回折
- 31p-PS-55 La系酸化物超伝導体の超音波減衰と音速 III
- 31p-PS-51 La系、Nd系酸化物超伝導体単結晶の磁気抵抗とHc_2
- 6a-Y-12 La系酸化物超伝導体の超音波減衰と音速II
- 群馬県のアナログ技術者育成の取り組み
- 28a-ZL-7 偏極冷中性子による超伝導体の混合状態の研究
- 25a-PS-25 偏極中性子減偏極法による超伝導体の混合状態の研究
- 2p-YD-4 負ミュオンスピン緩和法によるLa2-XSrXCuO4の酸素の電子状態
- 29a-YP-5 CuGeO_3の光学反射スペクトル
- 26p-PSA-12 La_Sr_xCuO_4単結晶の弾性定数と構造不安定性
- 25a-Q-1 高温超伝導体の転移点近傍の帯磁率
- 30p-A-8 単結晶La_Sr_xCuO_4の磁場中超音波
- 28p-APS-82 La_Sr_CuO_4単結晶の超伝導転移温度における熱膨張係数の異方性
- 28p-APS-73 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(6)
- 27p-APS-73 La_Sr_xCuO_4単結晶の転移点近傍及び常伝導状態における帯磁率測定
- 溶融塩電解によるβ-アルカリ土類金属バナジウムブロンズの調製〔英文〕 (2次電池の材料と反応)
- Y_1Ba_2Cu_3Ox酸化物超伝導体の酸素濃度制御
- 低周波プラズマの磁場中サブミリ波分光II
- 2a-PS-21 低周波プラズマの磁場中サブミリ波分光
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 厚膜VO_2スイチング素子の開発
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 30p-N-3 n+nn+構造Siダイオードの低温光伝導IV
- 26a-ZG-7 n^+nn^+構造Siダイオードの低温光伝導 III : 非縮退電子ガスにおける磁気抵抗ゆらぎ
- 29p-X-10 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導 II
- 28a-C-2 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導
- 27a-C-1 Bi/Sb超格子膜電気特性の界面混合率依存性
- 30p-TB-11 不純物ドープSi極微細線の電気伝導
- 3p-E4-3 CaYbエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象
- 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
- レ-ザ-・アニ-ルの現状と諸問題--シリコンを例として
- 24aPS-30 La_2CuO_の低温中性子照射効果
- 5p-PS-46 (La_Sr_x)_2CuO_4単結晶のμ-OSRの異方性
- 3p-Y-12 高温超伝導体La_Sr_xCuO_4単結晶の磁性:μSR
- 3p-Y-11 LaSrCuO系 高温超電導物質のμ^-SR
- 28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
- 27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
- 27p-YF-10 1/8組成近傍の(La, Ba)_2CuO_4単結晶の磁場中輸送現象
- 27p-APS-18 磁場中における単結晶La_Sr_xCuO_4の歪応答
- 29p-PSB-27 磁気トルク測定法による(La, Sr)_2CuO_4単結晶の超伝導の対称性
- A-5-20 スペクトル拡散技術を用いた高効率情報伝送に基づく情報処理システム
- 直交系列に基づくウェーブパラレルコンピューティングシステム
- 直交M系列に基づくアナログニューラルネットワークの構成
- 直交系列を用いたウェーブパラレルコンピューティングシステムの構成 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 振幅変調波に基づくアナログニューラルネットワーク
- 偏極中性子減偏極法による超伝導体の混合状態の研究
- 5p-ZB-1 La_Sr_CuO_4単結晶の磁束侵入の測定
- (Nd,Pr)_Ce_xCuO_4における反強磁性スピン相関
- 多結晶シリコン層からのひ素拡散シミュレ-ション
- 28p-APS-72 ハロゲン化合物をインターカレートしたBi系酸化物超伝導体の高周波特性
- 25a-PS-32 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性(2)
- 31p-PS-92 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性
- 粉末X線回折によるホウケイ酸鉛ガラスに対するVO_2の溶解挙動の測定
- 6p-Z-8 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導 (5)
- 五酸化バナジウム厚膜へのルビーレーザー照射効果
- VO2厚膜素子のレ-ザ-焼結
- FZ法によるBa_Sr_xTiO_3単結晶の育成 : 融液成長II
- 1p-PS-24 La_Sr_CuO_4単結晶の電子線照射効果II
- 25p-Q-8 La_Sr_CuO_4単結晶の電子線照射効果
- 27a-A-8 LA_Sr_Cuo_4単結晶のflux creep II
- 28a-ZL-1 La_Sr_CuO_4単結晶のflux creep
- FZ法によるBaTa_2O_6単結晶の育成 : 融液成長II
- 新形式のブラシなし直流速度発電機について
- 22aPS-24 La_2CuO_ 単結晶における過剰酸素の長距離拡散の異方性
- 23aPS-33 過剰酸素導入したLa_2CuO_単結晶の特性評価
- Officeでフォトレタッチ
- 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜(2) : 炭素質薄膜の電子物性
- 24a-K-5 単結晶La_Sr_CuO_4の超音波吸収と弾性異常
- 単結晶La_Sr_CuO_4の正方晶-斜方晶構造相転移における弾性異常
- 27p-PS-128 (La_Sr_x)_2CuO_y単結晶のT_c近傍の帯磁率測定II
- タイトル無し
- 30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
- 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
- 29p-W-6 Ca-Ybエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象II(29p W 金属)
- 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
- 31p-PS-175 (La, Sr)_2CuO_4大型単結晶の磁場下で超伝導転移の異方性(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31p-PS-172 (La, Sr)2CuO4のC軸方向の金属-半導体転移とホール係数(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)