30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1986-03-29

著者

• 佐々木 義智

  群馬大学工学部

• 小田 祺景

  阪大基礎工

• 永野 弘

  物性研

• 田沼 静一

  群馬大工

• 佐々木 義智

  群馬大工

• 伊藤 和男

  群馬大工

• 小野 高義

  物性研

関連論文

• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• 5p-B1-8 超伝導多層膜Nb-CuのNMR
• 29a-QD-11 超伝導多層膜Nb-CuのNMR
• 2p-L-5 RuO_2系厚膜抵抗の電気伝導
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 3a-B-3 MCl_n-GIC(M=Mn,Cu,Mo;n=2or5)の低温における磁性II
• 群馬県のアナログ技術者育成の取り組み
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 28p-APS-73 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(6)
• Y_1Ba_2Cu_3Ox酸化物超伝導体の酸素濃度制御
• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• 4a-WB-6 SbCl_5C_光電子分光(XPS,UPS)
• 厚膜VO_2スイチング素子の開発
• 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
• 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
• 30p-N-3 n+nn+構造Siダイオードの低温光伝導IV
• 26a-ZG-7 n^+nn^+構造Siダイオードの低温光伝導 III : 非縮退電子ガスにおける磁気抵抗ゆらぎ
• 29p-X-10 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導 II
• 28a-C-2 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導
• 27a-C-1 Bi/Sb超格子膜電気特性の界面混合率依存性
• 30p-TB-11 不純物ドープSi極微細線の電気伝導
• 3p-E4-3 CaYbエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象
• 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
• レ-ザ-・アニ-ルの現状と諸問題--シリコンを例として
• 2p-A-9 SbCl_5 GICの表面インピーダンス量子振動(II)
• 3p-WB-12 C_8Rbの超伝導
• 2p-A-5 C_8Rbの超伝導
• 5p-ZA-13 Nd_Ce_CuO_の高圧下におけるX線回折
• 1a-KK-1 IT-TaS_2の交流帯磁率
• 29a-G-14 C_8Kの誘導トルク効果
• 29a-G-7 SbCl_5-GICのフェルミ面研究
• 28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
• 27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
• 5p-Z-15 Y系酸化物高温超伝導体の^FeMossbauer効果-II
• 13p-PS-3 1T-TaS_2のmK領域での磁化
• 13p-PS-2 1T-TaS_Se_xの極低温での磁気抵抗
• 27p-M-4 1-T-TaS_2の極低温での電子物性
• 3a-B-2 1T-TaS_2の極低温での比抵抗
• 31a-TB-9 磁性不純物を含む銅クラッドNbのマイスナー効果
• 31a-TC-9 (La_M_x)_2CuO_(M=Sr, Ca, Ba)の酸素焼鈍と超伝導
• 6a-Y-6 La_2CuO_4の酸素焼鈍と超伝導
• A-5-20 スペクトル拡散技術を用いた高効率情報伝送に基づく情報処理システム
• 直交系列に基づくウェーブパラレルコンピューティングシステム
• 直交M系列に基づくアナログニューラルネットワークの構成
• 直交系列を用いたウェーブパラレルコンピューティングシステムの構成 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
• 振幅変調波に基づくアナログニューラルネットワーク
• 29p-PS-30 ReBa_2Cu_3O_のマイスナー効果、磁化率
• 29p-PS-29 Y-Ba-Cu_-M_x-O系の超伝導
• 多結晶シリコン層からのひ素拡散シミュレ-ション
• 28p-APS-72 ハロゲン化合物をインターカレートしたBi系酸化物超伝導体の高周波特性
• 25a-PS-32 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性(2)
• 31p-PS-92 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性
• 粉末X線回折によるホウケイ酸鉛ガラスに対するVO_2の溶解挙動の測定
• 6p-Z-8 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導 (5)
• 五酸化バナジウム厚膜へのルビーレーザー照射効果
• VO2厚膜素子のレ-ザ-焼結
• 5a-PS-13 YBa_2(Cu_Zn_x)_3O_系のESR
• 新形式のブラシなし直流速度発電機について
• 5a-C-3 ポメランチェック冷却における温度スケール
• 28p-PS-10 正方晶Ba_2YCu_O_(X=0.13, y=0.24)の結晶構造
• 29p-D-12 (SN)_xの結晶組織とマイスナー効果
• 28a-PS-20 Y系高温超伝導体の^Fe Mossbauer効果
• 銅希薄合金のKnight Shift : 磁性 (金属, 合金)
• 6p-PS-14 Y系酸化物超伝導体のCo,Fe置換効果
• 29p-PS-31 YBa_2(Cu_Fe_x)_3O_の磁化率
• 29p-PS-26 Ba_2YCu_3O_のNMRとNQR
• 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜(2) : 炭素質薄膜の電子物性
• 5p-Y-3 Nd_Ce_CuO_4系のCu置換効果
• 28p-T-3 (Y, Ln)Ba_2Cu_3O_系のNMR
• 8a-H-10 La_Gd_xAlのESR
• 4p-D-1 La_Gd_xAlのE.S.R
• 6p-PS-10 REBa_2Cu_3O_のNMR
• 29a-R-3 重いフェルミオン超伝導体UPt_3のNMR
• 6p-PS-15 Y系酸化物超伝導体の酸素焼鈍効果
• 3a-Y-11 YBa_2(Cu_M_x)_3O_のNMR
• 31p-K-6 超伝導La_2CuO_他のNMR, NQR
• 3a-ZE-11 超伝導多層膜Nb-CuのNMR(V)
• 3p-Y-4 Pb_2Sr_2Y_xCa_Cu_3O_のNMR
• 3a-Y-4 La_2CuO_4超伝導相のNMR
• 29p-PS-27 Ba_2RCu_3O_xの比熱
• 29p-RB-2 UPt_3のNMR
• 29p-JE-9 UPt_3のNMRと帯磁率(低温)
• 27p-JG-1 磁性不純物を含む銅-ニオブ系の超伝導近接効果(低温)
• 27p-JG-11 超伝導多層膜Nb-CuのNMR(低温)
• 30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
• 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 31a-PS-76 Y系酸化物高温超電導体の^Fe Mossbauer効果(31a PS 低温(酸化物超伝導))
• 29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
• 29p-W-6 Ca-Ybエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象II(29p W 金属)
• 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
• 31a-PS-74 Y系におけるCu置換と対破壊(31a PS 低温(酸化物超伝導))
• 31a-PS-75 高圧酸素中で焼鈍したYBa_2(Cu_M_x)_3O_yの磁性(M=Fe、Ce、Ni)(31a PS 低温(酸化物超伝導))
• 30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク