BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
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概要
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本論文はBSIM3v3SPICEモデルによる、高耐圧MOSデバイスのモデル技術について報告する。標準のSPICEモデルは高耐圧MOSデバイスの電圧依存を持つR_d、R_sに対して高精度なモデルを提供しておらず、電圧-電流特性のシミュレーションと実測値との間に大きな差異を生じる。我々はオリジナルBSIM3v3のパラメータの一部に対して本来とは異なる物理的な意味合いを設定しR_d、R_sの電圧依存を表現する技法を考案した。本技法により得たパラメータによる、高耐圧MOSデバイスの電圧-電流特性のシミュレーションと実測値とは非常に良く一致する。提案モデル技法と高耐圧MOSデバイスの動作原理との関係についても検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
菊池 修一
三洋電機(株)半導体事業本部
-
名野 隆夫
三洋電機MOS-LSI事業部
-
菊地 修一
三洋電機MOS-LSI事業部
-
岩津 勝彦
三洋電機MOS-LSI事業部
-
西部 栄次
三洋電機MOS-LSI事業部
-
鈴木 琢也
三洋電機MOS-LSI事業部
-
佐々木 義智
群馬大学工学部
-
伊藤 和男
群馬大学工学部
-
小林 春夫
群馬大学工学部
-
菊池 修一
三洋電機MOS-LSI事業部
-
名野 隆夫
三洋電機(株)半導体事業本部
-
岩津 勝彦
三洋電機(株)半導体事業本部
-
菊地 修一
三洋電機(株)半導体事業本部
-
西部 栄次
三洋電機(株)半導体事業本部
-
鈴木 琢也
三洋電機(株)半導体事業本部
-
名野 隆夫
三洋電機株式会社半導体カンパニー
-
名野 隆夫
三洋電機(株)メモリー開発部
-
伊藤 和男
群馬大学
-
佐々木 義智
群馬大学
-
小林 春夫
群馬大学 工学部
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