31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1985-03-31

著者

• 佐々木 義智

  群馬大学工学部

• 永野 弘

  東大物性研

• 田沼 静一

  群馬大工

• 佐々木 義智

  群馬大工

• 伊藤 和男

  群馬大工

• 小野 高義

  東大物性研

• 小田 棋景

  東大物性研

関連論文

• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• 2p-L-5 RuO_2系厚膜抵抗の電気伝導
• 10a-S-9 KCP,RbCPの圧力下の電気伝導
• 6a-P-6 高圧下における1次元白金錯体の電気伝導(I)
• 6a-R-6 TTF-TCNQの単結晶の電気伝導,吸収スペクトルの圧力効果
• 5a-R-5 NMP-TCNQおよびRb-TCNQ塩の多形の電気伝導
• 低温下の圧力較正 : 計測
• 3a-B-3 MCl_n-GIC(M=Mn,Cu,Mo;n=2or5)の低温における磁性II
• 3a-B-2 MCl_n-GIC(M=Cu,Mu,Mo;n=2or5)の低温における磁性I
• 群馬県のアナログ技術者育成の取り組み
• 28p-APS-73 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(6)
• 半金属のde Haas振動に及ぼす圧力効果 II : 半導体 (半金属)
• 5p-H-13 半金属のShubunikov-de Haas振動に及ぼす圧力効果 I
• Y_1Ba_2Cu_3Ox酸化物超伝導体の酸素濃度制御
• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
• 厚膜VO_2スイチング素子の開発
• 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
• 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
• 30p-N-3 n+nn+構造Siダイオードの低温光伝導IV
• 26a-ZG-7 n^+nn^+構造Siダイオードの低温光伝導 III : 非縮退電子ガスにおける磁気抵抗ゆらぎ
• 29p-X-10 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導 II
• 28a-C-2 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導
• 27a-C-1 Bi/Sb超格子膜電気特性の界面混合率依存性
• 30p-TB-11 不純物ドープSi極微細線の電気伝導
• 3p-E4-3 CaYbエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象
• 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
• レ-ザ-・アニ-ルの現状と諸問題--シリコンを例として
• 3p-WB-12 C_8Rbの超伝導
• 2p-A-5 C_8Rbの超伝導
• 超伝導体の中間状態の観察 : 低温
• 能代ロケット実験場における液化水素供給設備
• 2a-PS-16 二次元強磁性体(C_6H_5CH_2NH_3)_2CuCl_4の磁気相転移
• 1a-KK-1 IT-TaS_2の交流帯磁率
• 3p-L-14 一次元金属の電気伝導の圧力効果(I)
• 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
• 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
• 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
• 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
• 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
• 28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
• 27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
• 11a-Y-17 MoCl_5-グラファイト層間化合物(第1〜5ステージ)の磁気相転移
• 13p-PS-3 1T-TaS_2のmK領域での磁化
• 13p-PS-2 1T-TaS_Se_xの極低温での磁気抵抗
• 9. Anderson Localization in 1T-TaS_2(Experiments,I. Three Dimensional Systems)
• 27p-M-4 1-T-TaS_2の極低温での電子物性
• 3a-B-2 1T-TaS_2の極低温での比抵抗
• 2p-L-6 Bi-Sn希薄合金の超電導
• 1p-G-1 Ce_xLa_Cu_6の極低温における高濃度近藤効果II
• 3p-F-15 Si-MOS反転層の低温での非弾性散乱時間
• CeB_6のCe-希釈効果(VI. Ce化合物系,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
• 4a-RL-6 Au-Nb系における近接効果
• 1p-KH-5 Si-MOS反転層の伝導率の温度依存性
• 13a-D-3 Sbの蒸着薄膜における電子局在
• 13p-C-5 Cu-Nbにおける超伝導電流と近接効果
• 12a-PS-11 In-doped CdSのアモルファス磁性
• ヘリウム液化機 : 国産最初のヘリウム液化装置
• 2p-H-12 PrCu_5の結晶場と電気抵抗 II
• 1a-H-2 Cu-Nbの電気抵抗における近接効果
• 31p-E-15 擬1次元系Nb_3Se_4のマイスナー効果
• 1p-L-12 Cu-Nb近接効果のサイズ効果
• Space Cryogenics
• 4p-NF-3 mK域におけるCu-Nbの近接効果
• 1a-P-5 CMN,La-CHN,NBS温度点素子によるmk温度測定
• 31a-Q-2 mK領域における超伝導近接効果
• (SN)x (低次元物質特集号) -- (低次元導体)
• 2a-J-3 大型稀釈冷凍機の開発
• A-5-20 スペクトル拡散技術を用いた高効率情報伝送に基づく情報処理システム
• 直交系列に基づくウェーブパラレルコンピューティングシステム
• 直交M系列に基づくアナログニューラルネットワークの構成
• 直交系列を用いたウェーブパラレルコンピューティングシステムの構成 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
• 振幅変調波に基づくアナログニューラルネットワーク
• 1a-J-4 ゲラファイト ホイスカーの低温電気伝導
• 東大理工学研究所の水素液化機
• 多結晶シリコン層からのひ素拡散シミュレ-ション
• 28p-APS-72 ハロゲン化合物をインターカレートしたBi系酸化物超伝導体の高周波特性
• 25a-PS-32 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性(2)
• 31p-PS-92 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性
• 粉末X線回折によるホウケイ酸鉛ガラスに対するVO_2の溶解挙動の測定
• 6p-Z-8 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導 (5)
• 五酸化バナジウム厚膜へのルビーレーザー照射効果
• VO2厚膜素子のレ-ザ-焼結
• 2a-N-11 (SN)_x のマイスナー効果
• 2a-N-10 (SN)_x の磁化率虚数部
• 新形式のブラシなし直流速度発電機について
• 4p-W-14 ポメランチェク冷凍におけるLa-CMNの温度特性
• 6a-L-9 鉛および窒化物薄膜の超伝導性(I)
• 30a-L-1 多芯超伝導線における近接効果
• 5p-AB-13 銅クラツドNb及びa-NbTi線の近接効果
• 11p-S-6 La-CMN温度計による^3He超流動転移温度の測定
• 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜(2) : 炭素質薄膜の電子物性
• 30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
• 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
• 29p-W-6 Ca-Ybエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象II(29p W 金属)
• 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
• 30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク