厚膜VO_2スイチング素子の開発
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概要
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目的 : 混成集積回路に搭載を可能とするために,開放空気中で焼結する厚膜VO_2スイチング素子の開発を行った.方法 : 出発原料はV_2O_5を溶融還元して得たVO_2,ホウケイ酸鉛ガラスと金属ボロンを用いた.原料をペースト化して厚さ100μmの印刷膜を製作した.厚膜を開放空気中で700℃10分間の熱処理をした後,急冷をした.27種類の組成比の試料を作り温度特性を調べた.結果 : 粉末X線解析の結果,還元生成物はVO_2であった.温度抵抗特性では約68℃で相転移を生じた.抵抗の急激な変化量(トビφ=log R_<60℃>/R_<80℃>)は約4桁あり,ヒステリシスは約2℃であった.3元化合物系の厚膜焼結体において,VO_2:ホウケイ酸鉛ガラス:金属ボロン=6:3:1の組成で"トビφ"が2以上になった.結論 : 組成比がVO_2:ホウケイ酸鉛ガラス:金属ボロン=6:3:1の時は"トビφ>2"の温度スイッチング素子が集積回路に搭載可能である.金属ボロンはVO_2系素子の焼結時に還元効果がある.
- 群馬県立県民健康科学大学の論文
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