BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本論文はBSIM3v3 SPICEモデルによる、高耐圧MOSデバイスのモデル技術について報告する。標準のSPICEモデルは高耐圧MOSデバイスの電圧依存を持つR_d、R_sに対して高精度のモデルを提供しておらず、電圧-電流特性のシミュレーションと実測値との間に大きな差異を生じる。我々はオリジナルBSIM3v3のパラメータの一部に対して本来とは異なる物理的な意味合いを設定し、R_d、R_sの電圧依存を表現する技法を考案した。本技法により得たパラメータによる、高耐圧MOSデバイスの電圧-電流特性のシミュレーションと実測値とは非常に良く一致する。提案モデル技法と高耐圧MOSデバイスの動作原理との関係についても検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
菊池 修一
三洋電機(株)半導体事業本部
-
名野 隆夫
三洋電機MOS-LSI事業部
-
岩津 勝彦
三洋電機MOS-LSI事業部
-
西部 栄次
三洋電機MOS-LSI事業部
-
鈴木 琢也
三洋電機MOS-LSI事業部
-
佐々木 義智
群馬大学工学部
-
伊藤 和男
群馬大学工学部
-
小林 春夫
群馬大学工学部
-
菊池 修一
三洋電機MOS-LSI事業部
-
名野 隆夫
三洋電機(株)半導体事業本部
-
岩津 勝彦
三洋電機(株)半導体事業本部
-
菊地 修一
三洋電機(株)半導体事業本部
-
西部 栄次
三洋電機(株)半導体事業本部
-
鈴木 琢也
三洋電機(株)半導体事業本部
-
名野 隆夫
三洋電機株式会社半導体カンパニー
-
名野 隆夫
三洋電機(株)メモリー開発部
-
伊藤 和男
群馬大学
-
佐々木 義智
群馬大学
関連論文
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 高電圧レベルシフト回路の回路シミュレーション設計技法
- 通信用A-D変換器テスト評価のためのマルチトーンカーブフイッティングアルゴリズム
- 低電圧Rail-to-Rail CMOSオペアンプの設計(電子回路)
- 高効率チャージポンプ電源回路の設計
- 線形CMOS演算トランスコンダクタンス増幅回路の設計
- 低電圧 低消費電力 Rail-to-Rail CMOS OpAmp の設計
- C-12-12 高効率チャージポンプ回路の設計と測定
- 疑似ランダム・デジタル変調によるスイッチングノイズ・スペクトラム拡散技術を用いたDC-DC変換回路
- 少量ハードウェア タイムデジタイザ回路
- AD変換器でのサンプリング・クロック・ジッタの測定とその誤差補正技術の検討
- 電荷モード折返しA-D変換回路(アナログ回路技術ショートノート-アナログ回路技術の創造と伝承を目指して-)
- 高性能CMOSカレントミラー回路の設計とその応用
- 群馬県のアナログ技術者育成の取り組み
- RCポリフェーズ・フィルタの解析と設計 : 入力インピーダンス、出力終端、素子・ばらつきの影響の解析、通過域平坦利得フィルタ設計
- RCポリフェーズ・フィルタの解析 : 高次フィルタ伝達関数、ナイキスト線図の導出、寄生容量の影響の解析
- 28p-APS-73 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(6)
- Nauta のOTAを用いた高周波Gm-Cバンドパスフィルタの検討
- マルチバンドパスΔ〓変調器のDWAアルゴリズム
- Y_1Ba_2Cu_3Ox酸化物超伝導体の酸素濃度制御
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 厚膜VO_2スイチング素子の開発
- ナノテクノロジ
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 30p-N-3 n+nn+構造Siダイオードの低温光伝導IV
- 26a-ZG-7 n^+nn^+構造Siダイオードの低温光伝導 III : 非縮退電子ガスにおける磁気抵抗ゆらぎ
- 29p-X-10 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導 II
- 28a-C-2 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導
- 27a-C-1 Bi/Sb超格子膜電気特性の界面混合率依存性
- 30p-TB-11 不純物ドープSi極微細線の電気伝導
- 3p-E4-3 CaYbエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象
- 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
- レ-ザ-・アニ-ルの現状と諸問題--シリコンを例として
- C-12-2 高周波アナログLSIのテスト容易化回路(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術))
- MOSサンプリング回路の入力信号依存サンプリング・ジッタの影響の解析
- 広帯域高精度サンプリング技術(電子回路)
- 高性能デジタル電源用AD変換器とDPWM回路
- スイッチを用いた可変インダクタによる電源の高性能化
- スイッチング電源回路のMEMS技術を用いた低リップル・高速応答制御方式
- スイッチング電源回路のMEMS技術を用いた低リップル・高速応答制御方式(スイッチング電源及びユビキタス電源,一般)
- ひずみ測定ブリッジ回路の寄生容量影響の除去手法
- スイッチング電源の負荷変動に対する高速応答制御方式
- スイッチング電源のEMI低減化回路と測定による検証(電子回路)
- スイッチング電源のEMI低減化回路と測定技術
- 離散時間マルチビット複素バンドパスΔΣAD変調器の設計
- 離散時間マルチビット複素バンドパスΔΣAD変調器の設計(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- A-1-10 複素バンドパス Gm-C フィルタの構成の検討
- 連続時間バンドバスΔΣAD変調器の高性能化の検討(若手研究会)
- サンプリング回路の信号ノイズ比と帯域の考察
- 発振を利用したアナログフィルタのテスト・調整
- 高速 6bit CMOS AD 変換器の設計
- 28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
- 27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
- A-5-20 スペクトル拡散技術を用いた高効率情報伝送に基づく情報処理システム
- 直交系列に基づくウェーブパラレルコンピューティングシステム
- 直交M系列に基づくアナログニューラルネットワークの構成
- 直交系列を用いたウェーブパラレルコンピューティングシステムの構成 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 振幅変調波に基づくアナログニューラルネットワーク
- C-12-27 I、Q経路ダイナミック・マッチングによる高周波信号発生器の低スプリアス化法の提案(C-12.集積回路C(アナログ))
- 多結晶シリコン層からのひ素拡散シミュレ-ション
- 28p-APS-72 ハロゲン化合物をインターカレートしたBi系酸化物超伝導体の高周波特性
- 25a-PS-32 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性(2)
- 31p-PS-92 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性
- 粉末X線回折によるホウケイ酸鉛ガラスに対するVO_2の溶解挙動の測定
- 6p-Z-8 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導 (5)
- 五酸化バナジウム厚膜へのルビーレーザー照射効果
- VO2厚膜素子のレ-ザ-焼結
- C-12-5 AD変換器の周波数領域性能評価用マルチトーン・カーブ・フィッティング・アルゴリズム
- 通信用AD変換器テスト評価のためのマルチトーン・カーブ・フィッティング・アルゴリズム
- 通信用AD変換器テスト評価のためのマルチトーン・カーブ・フィッティング・アルゴリズム
- 通信用AD変換器テスト評価のためのマルチトーン・カーブ・フィッティング・アルゴリズム
- 新形式のブラシなし直流速度発電機について
- DA変換器のタイミング誤差解析 : クロック・ジッタとタイミング・スキュー(グリッチ)の影響
- 逐次比較近似ADCコンパレータ・オフセット影響の冗長アルゴリズムによるディジタル補正技術(電子回路)
- ACT-1-3 デジタルアシスト・アナログRFテスト技術 : サブ100nmミックストシグナルSoCテストの考察(ACT-1.サブ100nm時代のCMOSアナログ技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- ACT-1-3 デジタルアシスト・アナログRFテスト技術 : サブ100nmミックストシグナルSoCテストの考察(ACT-1.サブ100nm時代のCMOSアナログ技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- ACS-1-2 高次ΔΣDAC信号発生回路での歪キャンセル・ノイズ低減技術(ACS-1.最新アナデジ混載LSI技術,シンポジウムセッション)
- ACS-1-2 高次ΔΣDAC信号発生回路での歪キャンセル・ノイズ低減技術(ACS-1.最新アナデジ混載LSI技術,シンポジウムセッション)
- 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜(2) : 炭素質薄膜の電子物性
- シグマデルタDAC信号発生回路でのディジタル歪補正技術
- デジタル制御E級電力増幅器の検討
- 任意波形発生器での非線形性補正アルゴリズムと実測による検証
- デルタシグマ変調を用いたDC-DC変換器制御の検討
- 新構成AC-DC変換回路の検討
- シグマデルタ型タイムデジタイザ回路の検討
- TVチューナ用完全ディジタルPLL回路-広帯域化の検討
- TVチューナ用完全ディジタルPLL回路-システムの観点から
- インターリーブを用いた低歪み2トーン信号発生技術
- 連続時間フィードフォワード・シグマデルタ変調器によるDC-DC変換器の制御
- ダブル・テ-タ・ピンチの平衡配位-1-径方向の平衡配位
- 30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
- 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
- 29p-W-6 Ca-Ybエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象II(29p W 金属)
- 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
- 30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)