3p-E4-3 CaYbエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
関連論文
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 4a-WB-2 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による吸収分光
- 4a-WB-1 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による結晶解析
- 群馬県のアナログ技術者育成の取り組み
- 28p-APS-73 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(6)
- Y_1Ba_2Cu_3Ox酸化物超伝導体の酸素濃度制御
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法
- 厚膜VO_2スイチング素子の開発
- ナノテクノロジ
- 426 電子ビーム・リソグラフィーによるサブミクロン金型の創製と金属ガラスの形状転写加工(OS 材料の超精密加工・マイクロ加工)
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 28p-L-14 光キャリア注入n型Siの低温磁気抵抗
- 30p-N-3 n+nn+構造Siダイオードの低温光伝導IV
- 26a-ZG-7 n^+nn^+構造Siダイオードの低温光伝導 III : 非縮退電子ガスにおける磁気抵抗ゆらぎ
- 29p-X-10 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導 II
- 28a-C-2 n^+n^-n^+構造Siダイオードの低温光伝導
- 27a-C-1 Bi/Sb超格子膜電気特性の界面混合率依存性
- 30p-TB-11 不純物ドープSi極微細線の電気伝導
- 3p-E4-3 CaYbエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象
- 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
- レ-ザ-・アニ-ルの現状と諸問題--シリコンを例として
- 7a-J-13 ダブル・データ・ピンチ・プラズマの運動
- 28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
- 27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
- A-5-20 スペクトル拡散技術を用いた高効率情報伝送に基づく情報処理システム
- 直交系列に基づくウェーブパラレルコンピューティングシステム
- 直交M系列に基づくアナログニューラルネットワークの構成
- 直交系列を用いたウェーブパラレルコンピューティングシステムの構成 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 振幅変調波に基づくアナログニューラルネットワーク
- 12p-E-7 高分解能^CNMRと電荷密度の層間分布
- 多結晶シリコン層からのひ素拡散シミュレ-ション
- 28p-APS-72 ハロゲン化合物をインターカレートしたBi系酸化物超伝導体の高周波特性
- 25a-PS-32 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性(2)
- 31p-PS-92 Bi系酸化物超電導体の帯磁率の周波数依存性
- 粉末X線回折によるホウケイ酸鉛ガラスに対するVO_2の溶解挙動の測定
- 6p-Z-8 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導 (5)
- 五酸化バナジウム厚膜へのルビーレーザー照射効果
- VO2厚膜素子のレ-ザ-焼結
- 新形式のブラシなし直流速度発電機について
- 5p-C-1 ダブル・テータ・ピンチの平衡配位 (I)
- ダブル・テ-タ・ピンチの平衡配位-1-径方向の平衡配位
- 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜(2) : 炭素質薄膜の電子物性
- 4a-KU-6 Outward θ-pinch
- 4a-KU-5 ダブル・テータ・ピンチ I
- 30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
- 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
- 29p-W-6 Ca-Ybエピタキシャル超格子膜の成長とその輸送現象II(29p W 金属)
- 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
- 30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)