12a-PS-11 In-doped CdSのアモルファス磁性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1983-09-13

著者

• 中田 一郎

  物性研

• 永野 弘

  東大物性研

• 中田 一郎

  東大物性研

• 君島 義英

  東大物性研

関連論文

• 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
• 2p-L-5 RuO_2系厚膜抵抗の電気伝導
• 10a-S-9 KCP,RbCPの圧力下の電気伝導
• 6a-P-6 高圧下における1次元白金錯体の電気伝導(I)
• 6a-R-6 TTF-TCNQの単結晶の電気伝導,吸収スペクトルの圧力効果
• 5a-R-5 NMP-TCNQおよびRb-TCNQ塩の多形の電気伝導
• 低温下の圧力較正 : 計測
• 3a-G-4 (SN)_xのNMR
• 3a-B-3 MCl_n-GIC(M=Mn,Cu,Mo;n=2or5)の低温における磁性II
• 3a-B-2 MCl_n-GIC(M=Cu,Mu,Mo;n=2or5)の低温における磁性I
• 5a-A-11 Nb_3Te_4の低温領域の電顕観察
• 5a-A-10 擬一次元合成金属Nb_3Te_4の低温における電気的性質の異常
• 14a-S-11 Nb_3Te_4の電気伝導
• 31p-E-14 Nb_3Se_4の電気伝導と超伝導
• 3a-NE-1 Nb_3S_4の電気的性質
• 4a-B-3 GeSeの負磁気抵抗効果
• 30a-E-1 GeSe単結晶の電気的特性
• アントラセンの電気伝導度とその機構の考察 : 半導体(化合物・有機)
• アントラセンの帯域純化法と移動度(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• アンスラセンの内部におけるキャリヤ移動度の測定 : 半導体
• 4p-L-13 アンスラセンの内部におけるキャリヤーの移動度の測定
• 12a-A-8 アンスラセンの比抵抗の測定
• 12a-A-7 アンスラセン光伝導に対する気体吸着の影響
• アンスラセンの光伝導に対する温度の影響 : 半導体
• 2p-L-8 アンスラセン単結晶の光伝導
• 半金属のde Haas振動に及ぼす圧力効果 II : 半導体 (半金属)
• 5p-H-13 半金属のShubunikov-de Haas振動に及ぼす圧力効果 I
• 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
• 3p-WB-12 C_8Rbの超伝導
• 2p-A-5 C_8Rbの超伝導
• 超伝導体の中間状態の観察 : 低温
• 研究速報 : アモルファス磁場中結晶化法による Nd-Fe-B 系永久磁石材料の研究
• 能代ロケット実験場における液化水素供給設備
• 30p-RC-10 陽電子消滅二次元角度相関法による (SN)_xの研究
• 2a-PS-16 二次元強磁性体(C_6H_5CH_2NH_3)_2CuCl_4の磁気相転移
• 1a-KK-1 IT-TaS_2の交流帯磁率
• 3p-L-14 一次元金属の電気伝導の圧力効果(I)
• 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
• 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
• 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
• 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
• 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
• 11a-Y-17 MoCl_5-グラファイト層間化合物(第1〜5ステージ)の磁気相転移
• 13p-PS-3 1T-TaS_2のmK領域での磁化
• 13p-PS-2 1T-TaS_Se_xの極低温での磁気抵抗
• 9. Anderson Localization in 1T-TaS_2(Experiments,I. Three Dimensional Systems)
• 27p-M-4 1-T-TaS_2の極低温での電子物性
• 3a-B-2 1T-TaS_2の極低温での比抵抗
• 2p-L-6 Bi-Sn希薄合金の超電導
• 1p-G-1 Ce_xLa_Cu_6の極低温における高濃度近藤効果II
• 3p-F-15 Si-MOS反転層の低温での非弾性散乱時間
• CeB_6のCe-希釈効果(VI. Ce化合物系,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
• 12a-PS-11 In-doped CdSのアモルファス磁性
• 31p-E-15 擬1次元系Nb_3Se_4のマイスナー効果
• (SN)x (低次元物質特集号) -- (低次元導体)
• 3p-Q-14 イオン打ち込みSiのピコ秒レーザー照射による表面の構造変化
• 31p-K-13 (SN)_xの陽電子消滅
• 29a-E-14 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 IV
• 2a-R-12 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 II
• 30p-B-6 |X_3|によるNb_3Se_4の超伝導転移
• 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
• 29p-PS-30 ReBa_2Cu_3O_のマイスナー効果、磁化率
• 29p-PS-29 Y-Ba-Cu_-M_x-O系の超伝導
• 2a-N-11 (SN)_x のマイスナー効果
• 2a-N-10 (SN)_x の磁化率虚数部
• 2a GC-14 (SN)_x, (SNBr_y)_xの近赤外から紫外スペクトル
• 6a-AE-5 (SN)_x蒸着膜の性質
• 31p-CK-13 (SN)_x 結晶の光学的性質
• 6a-L-9 アンスラセンの光伝導スペクトルに対する気体吸着の影響
• 2p-N-2 一次元半導体 (CH)_x の光学的性質 II
• 2a-N-9 (SN)_x,(SNBr_a4)_x 単結晶の SOR 分光
• 2p GC-5 一次元半導体 (CH)_xの光学的性質
• 5p-AE-7 アンスラセン結晶のバイブロニック励起子スペクトル
• 電導性ポリマ-単結晶の作成と物性
• 3a-A3-5 Nb_3Te_4結晶中の格子欠陥の高分解能観察
• 28p-PS-10 正方晶Ba_2YCu_O_(X=0.13, y=0.24)の結晶構造
• E. Kaldis 編: Series, Current Topics in Materials Science, Vols. 1〜9, North-Holland, Amsterdam and New York, 23×15.5cm, Vol. 1: 1978, xii+762ページ, 32,110円, Vol. 2 (Crystal Growth and Materials): 1977, xiv+918ページ, 42,750円 (この編のみ H. J. Scheel と共編), Vol. 3: 19
• 31p-K-11 (SN)_x単結晶の双晶構造
• 30a-B-4 PAA単結晶の転位構造
• 29p-D-12 (SN)_xの結晶組織とマイスナー効果
• 31p-L-10 ZnCr_2Se_4のVUVおよびXUV反射分光
• 3a-NGH-20 一次元超伝導体Nb_3S_4のVUV反射スペクトル
• 圧力下におけるアンスラセンの移動度の測定 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• アンスラセンの電気伝導度の温度変化(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• (SN)xの製法と物性 (伝導性低次元物質の化学) -- (1次元ポリマ-)
• 1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
• アンスラセンの表面電位の測定 : 分子結晶・有機半導体
• アンスラセンの表面電場効果 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• 1a-S-2 (SN)_x, PTSの陽電子消滅
• 2a-NE-13 ブリッジマン法によるアンスラセン単結晶の格子欠陥
• 31a-S-4 ポリジアセチレンPTS単結晶の重合機構
• 29p-D-13 (SN)_2より(SN)_x単結晶への成長過程
• 29p-B-12 混晶フレンケル励起子のアンダーソン転移
• 29p-L-7 最近の興味ある超伝導物質 : (SN)_xの超伝導 (最近の興味ある超伝導物質)
• 4p-Z-21 ナフタリン同位体混晶バイブロニック励起子の動力学的性質
• 2p GB-1 アンスラセン同位体混晶の励起子共鳴ラマン散乱
• 3p-DR-1 アンスラセン混晶C_H_-C_D_の発光スペクトル〜クラスター効果〜
• 30p-CB-10 セレノヨウ化ニオブ表面のミクロステップ構造と結晶成長機構(30p CB 結晶成長)
• 31a-E3-6 Nb_3Te_4の低温度領域の電顕観察II(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
• 1a-A6-7 一次元系結晶NbSe_4I_xの結晶成長と表面ミクロステップ構造(1a A6 結晶成長,結晶成長)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク