中田 一郎 | 物性研
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概要
関連著者
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中田 一郎
物性研
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中田 一郎
東大物性研
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石原 裕
金沢大理
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三谷 忠興
東大・工
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小田 祺景
姫工大理
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国府田 隆夫
東大工
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国府田 隆夫
東大・工
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永野 弘
東大物性研
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市原 正樹
物性研
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三谷 忠興
東大工
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鈴木 邦夫
東大生研
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十倉 好紀
東大・工
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鈴木 邦夫
物性研
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中田 一郎
小林理研
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市原 正樹
東大物性研
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菅 滋正
物性研
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辛 埴
物性研
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森 英男
東大工
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石原 裕
学習院大理
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有賀 弘三
学習院大理
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小田 祺景
阪大基礎工
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小原 孝夫
神戸大教養
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鈴木 泰之
東大工:現三重大
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石田 武和
茨城大理
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回陽 博史
学習院大理
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谷口 雅樹
広大院理
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朝山 邦輔
阪大基礎工
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小田 祺景
東大物性研
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谷口 雅樹
物性研
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兼子 哲幸
阪大基礎工
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藤田 浩史
阪大基礎工
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堂山 昌男
東大工
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菅滋 正
物性研
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兼子 哲幸
超伝導工学研究所
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一宮 彪彦
学習院大理
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豊田 晴久
阪大基礎工
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門田 健次
デンカ中研
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竹中 久
東大物性研
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上田 光一
神戸大教養
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小田 祺
東大物性研
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小山 邦明
東大・工
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竹中 久
いわき明星大理工
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宮本 昌男
学習院大理
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西原 弘訓
東大物性研
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十倉 好紀
東大工
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小堀 洋
阪大基礎工
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小原 孝夫
姫路工大理
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石橋 章司
東大・工
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鈴木 泰之
東大・工
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堂山 昌男
東大・工
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辻 和彦
東大物性研
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箕村 茂
東大物性研
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井上 恒一
阪大産研
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山田 義博
姫工大工
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住山 昭彦
東大物性研
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窪田 政一
東大物性研
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鈴木 邦夫
東大物性研
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竹内 伸
東大物性研
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関 正美
物性研
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関 正美
東大物性研
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井上 恒一
物性研
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神前 熙
物性研
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国府田 隆夫
東大 工
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窪田 政一
物性研
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神前 熙
東大物性研
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小田 祺景
物性研
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永野 弘
物性研
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北大理
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東大・工
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日立金属
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十倉 好紀
東大 工
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東大工
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東大物性研
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辻 和彦
物性研
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物性研
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石原 裕
金沢大理物性研
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中田 一郎
金沢大理物性研
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石原 裕
学習院大
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中田 一郎
物理研
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本間 和明
東京電機大学工学部応用理化学科
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本間 和明
電機大工
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本間 和明
東京電機大学
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山口 豪
静岡大学工学部
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山口 豪
静岡大 工
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石橋 章司
東大先端研
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中田 一郎
東大・物性研
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佐藤 昭一
物性研
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浜中 広見
法大工
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君島 義英
東大物性研
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若木 政利
物性研
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金光 義彦
東大物性研
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鈴木 郁子
東大工
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浜中 広見
法政大工
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石原 信一
日本大学文理学部物理学科
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石原 信一
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茨城大理
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京大化研
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小池 正義
物性研
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東大物性研
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尾山 桂子
物性研
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東大・工
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守 英男
東大・工
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井上 垣一
物性研
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渋谷 哲
静岡大
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本間 和明
東京電機大学工学部
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尾山 桂子
東大物性研
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辷 和彦
物性研
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其村 茂
物性研
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鈴木 泰之
東大工
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山田 義博
姫工大
著作論文
- 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
- 3a-G-4 (SN)_xのNMR
- 5a-A-11 Nb_3Te_4の低温領域の電顕観察
- 5a-A-10 擬一次元合成金属Nb_3Te_4の低温における電気的性質の異常
- 14a-S-11 Nb_3Te_4の電気伝導
- 31p-E-14 Nb_3Se_4の電気伝導と超伝導
- 3a-NE-1 Nb_3S_4の電気的性質
- 4a-B-3 GeSeの負磁気抵抗効果
- 30a-E-1 GeSe単結晶の電気的特性
- アントラセンの電気伝導度とその機構の考察 : 半導体(化合物・有機)
- アントラセンの帯域純化法と移動度(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
- アンスラセンの内部におけるキャリヤ移動度の測定 : 半導体
- 4p-L-13 アンスラセンの内部におけるキャリヤーの移動度の測定
- 12a-A-8 アンスラセンの比抵抗の測定
- 12a-A-7 アンスラセン光伝導に対する気体吸着の影響
- アンスラセンの光伝導に対する温度の影響 : 半導体
- 2p-L-8 アンスラセン単結晶の光伝導
- 研究速報 : アモルファス磁場中結晶化法による Nd-Fe-B 系永久磁石材料の研究
- 30p-RC-10 陽電子消滅二次元角度相関法による (SN)_xの研究
- 12a-PS-11 In-doped CdSのアモルファス磁性
- 31p-E-15 擬1次元系Nb_3Se_4のマイスナー効果
- (SN)x (低次元物質特集号) -- (低次元導体)
- 3p-Q-14 イオン打ち込みSiのピコ秒レーザー照射による表面の構造変化
- 31p-K-13 (SN)_xの陽電子消滅
- 29a-E-14 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 IV
- 2a-R-12 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 II
- 30p-B-6 |X_3|によるNb_3Se_4の超伝導転移
- 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
- 29p-PS-30 ReBa_2Cu_3O_のマイスナー効果、磁化率
- 29p-PS-29 Y-Ba-Cu_-M_x-O系の超伝導
- 2a-N-11 (SN)_x のマイスナー効果
- 2a-N-10 (SN)_x の磁化率虚数部
- 2a GC-14 (SN)_x, (SNBr_y)_xの近赤外から紫外スペクトル
- 6a-AE-5 (SN)_x蒸着膜の性質
- 31p-CK-13 (SN)_x 結晶の光学的性質
- 6a-L-9 アンスラセンの光伝導スペクトルに対する気体吸着の影響
- 2p-N-2 一次元半導体 (CH)_x の光学的性質 II
- 2a-N-9 (SN)_x,(SNBr_a4)_x 単結晶の SOR 分光
- 2p GC-5 一次元半導体 (CH)_xの光学的性質
- 5p-AE-7 アンスラセン結晶のバイブロニック励起子スペクトル
- 電導性ポリマ-単結晶の作成と物性
- 3a-A3-5 Nb_3Te_4結晶中の格子欠陥の高分解能観察
- 28p-PS-10 正方晶Ba_2YCu_O_(X=0.13, y=0.24)の結晶構造
- E. Kaldis 編: Series, Current Topics in Materials Science, Vols. 1〜9, North-Holland, Amsterdam and New York, 23×15.5cm, Vol. 1: 1978, xii+762ページ, 32,110円, Vol. 2 (Crystal Growth and Materials): 1977, xiv+918ページ, 42,750円 (この編のみ H. J. Scheel と共編), Vol. 3: 19
- 31p-K-11 (SN)_x単結晶の双晶構造
- 30a-B-4 PAA単結晶の転位構造
- 29p-D-12 (SN)_xの結晶組織とマイスナー効果
- 31p-L-10 ZnCr_2Se_4のVUVおよびXUV反射分光
- 3a-NGH-20 一次元超伝導体Nb_3S_4のVUV反射スペクトル
- 圧力下におけるアンスラセンの移動度の測定 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
- アンスラセンの電気伝導度の温度変化(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
- (SN)xの製法と物性 (伝導性低次元物質の化学) -- (1次元ポリマ-)
- 1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
- アンスラセンの表面電位の測定 : 分子結晶・有機半導体
- アンスラセンの表面電場効果 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
- 1a-S-2 (SN)_x, PTSの陽電子消滅
- 2a-NE-13 ブリッジマン法によるアンスラセン単結晶の格子欠陥
- 31a-S-4 ポリジアセチレンPTS単結晶の重合機構
- 29p-D-13 (SN)_2より(SN)_x単結晶への成長過程
- 29p-B-12 混晶フレンケル励起子のアンダーソン転移
- 29p-L-7 最近の興味ある超伝導物質 : (SN)_xの超伝導 (最近の興味ある超伝導物質)
- 4p-Z-21 ナフタリン同位体混晶バイブロニック励起子の動力学的性質
- 2p GB-1 アンスラセン同位体混晶の励起子共鳴ラマン散乱
- 3p-DR-1 アンスラセン混晶C_H_-C_D_の発光スペクトル〜クラスター効果〜
- 30p-CB-10 セレノヨウ化ニオブ表面のミクロステップ構造と結晶成長機構(30p CB 結晶成長)
- 31a-E3-6 Nb_3Te_4の低温度領域の電顕観察II(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
- 1a-A6-7 一次元系結晶NbSe_4I_xの結晶成長と表面ミクロステップ構造(1a A6 結晶成長,結晶成長)