31a-E3-6 Nb_3Te_4の低温度領域の電顕観察II(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
28aTJ-10 擬ホーランダイト型クロム硫化物の構造と磁性(フラストレーション系他,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
27aQJ-2 二次元量子スピン系(CuCl)Ca_2NaNb_4O_の合成と磁性(量子スピン系(二次元系及びその他),領域3,磁性,磁気共鳴)
-
22pWH-7 パイロクロア型酸化物A_2Re_2O_7(A=Ca, Cd, Pb)における極性金属状態(パイロクロア・その他超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
26aWP-2 重い電子系YbAlB_4純良単結晶の非フェルミ液体性と試料依存性(26aWP Yb化合物,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
24aPS-76 ホーランダイト型K_Rb_xV_8O_の電荷秩序と超構造II(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
21aWH-8 ホーランダイト型K_Rb_xV_8O_の電荷秩序と超構造(V酸化物,高圧,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
19aWG-12 Aサイト秩序型ペロブスカイトMn酸化物薄膜の製膜手法と結晶構造(19aWG Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
27aPS-86 バナジウム酸化物V_4O_9の構造の解析と物性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
金属秩序型ペロブスカイトMn酸化物RBaMn_2O_6(R=Y,希土類元素)における相転移と軌道自由度(2002年度基研研究会「軌道自由度を持つ強相関電子系の理論の進展」,研究会報告)
-
18pYA-12 Aサイトが規則配列した新しいペロブスカイト型Mn酸化物YBaMn_2O_6(II)
-
22aQC-8 パイロクロア型酸化物における反転対称性の破れ(22aQC パイロクロア,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
15a-A-13 Al-Co-Ni正10角形準結晶における秩序-無秩序変態
-
6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
-
1a-H-12 ZrO_2中の陽電子の寿命
-
28p-YE-1 Tl_2Ba_2CaCu_2O_単結晶のピーク効果
-
28p-ZA-6 h-GaN結晶における電子励起転位すべり効果
-
31p-F-4 Al-Ni-Co規則型正10角形の分域構造
-
2a-YC-8 Al-Ni-Co正10角形準結晶における観測-不規則変態(II)
-
12a-DK-11 半導体結晶中の転位の拡張、非拡張
-
27p-T-4 凖結晶の近似結晶
-
27a-T-5 Al-Co-Ni正10角形相の規則構造
-
26a-A-8 Al-Co-Ni正10角形相とその近似結晶相の構造
-
3a-Z-11 気相合成ダイヤモンド中の格子欠陥の電子顕微鏡観察
-
21pWG-2 X線回折と収束電子線回折を用いたベータ型パイロクロア酸化物超伝導体の構造とラットリングの研究(21pWG パイロクロア(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
3a-G-4 (SN)_xのNMR
-
ナノ粒子を添加した高温超電導バルク材の微細構造組織と超電導
-
5a-A-11 Nb_3Te_4の低温領域の電顕観察
-
5a-A-10 擬一次元合成金属Nb_3Te_4の低温における電気的性質の異常
-
14a-S-11 Nb_3Te_4の電気伝導
-
31p-E-14 Nb_3Se_4の電気伝導と超伝導
-
3a-NE-1 Nb_3S_4の電気的性質
-
4a-B-3 GeSeの負磁気抵抗効果
-
30a-E-1 GeSe単結晶の電気的特性
-
アントラセンの電気伝導度とその機構の考察 : 半導体(化合物・有機)
-
アントラセンの帯域純化法と移動度(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
-
アンスラセンの内部におけるキャリヤ移動度の測定 : 半導体
-
4p-L-13 アンスラセンの内部におけるキャリヤーの移動度の測定
-
12a-A-8 アンスラセンの比抵抗の測定
-
12a-A-7 アンスラセン光伝導に対する気体吸着の影響
-
アンスラセンの光伝導に対する温度の影響 : 半導体
-
2p-L-8 アンスラセン単結晶の光伝導
-
22aQC-2 β型パイロクロア酸化物CsW_2O_6の合成と物性(22aQC パイロクロア,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
31a-R-4 Pb置換したBi2212単結晶の磁束状態における面内異方性の直接観察
-
31a-R-3 Pb置換したBi2212単結晶における磁束状態の面内異方性
-
4a-KH-1 ヘテロ構造GICの合成 : sequential intercalation
-
5a-C-9 Fe_3O_4の電子線回折III
-
研究速報 : アモルファス磁場中結晶化法による Nd-Fe-B 系永久磁石材料の研究
-
26a-P-7 5角12面体K_2Mn_2(SO_4)_3結晶の解析
-
15aWA-9 Cd 系準結晶及び近似結晶の低温電顕観察(準結晶 : 電子構造, 物性, 領域 6)
-
30p-RC-10 陽電子消滅二次元角度相関法による (SN)_xの研究
-
22aZG-12 結晶構造から見たBi_2Sr_
-
29a-Q-9 リラクサーPSNにおけるサイズ効果
-
26a-A-6 X線散漫散乱法を用いたリラクサーPb(Sc_Nb_)O_3のGlass-Likeな相転移挙動の直接観測
-
31p-YX-14 アーク放電法によるB-C-Nナノチューブの合成
-
30a-D-2 Al-Pd-Mn準結晶の塑性
-
5a-Q-5 電場中で成長したCdS双晶
-
12a-PS-11 In-doped CdSのアモルファス磁性
-
31p-E-15 擬1次元系Nb_3Se_4のマイスナー効果
-
(SN)x (低次元物質特集号) -- (低次元導体)
-
3p-Q-14 イオン打ち込みSiのピコ秒レーザー照射による表面の構造変化
-
31p-K-13 (SN)_xの陽電子消滅
-
23pPSA-54 層状超伝導体LaPt_2Si_2における電荷密度波の可能性(23pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
29a-E-14 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 IV
-
2a-R-12 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 II
-
30p-B-6 |X_3|によるNb_3Se_4の超伝導転移
-
2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
-
29p-PS-30 ReBa_2Cu_3O_のマイスナー効果、磁化率
-
29p-PS-29 Y-Ba-Cu_-M_x-O系の超伝導
-
4a-Q-12 ホットウォール法による層状薄膜単結晶のファンデアワールスエピ成長
-
2a-N-11 (SN)_x のマイスナー効果
-
2a-N-10 (SN)_x の磁化率虚数部
-
2a GC-14 (SN)_x, (SNBr_y)_xの近赤外から紫外スペクトル
-
6a-AE-5 (SN)_x蒸着膜の性質
-
31p-CK-13 (SN)_x 結晶の光学的性質
-
6a-L-9 アンスラセンの光伝導スペクトルに対する気体吸着の影響
-
2p-N-2 一次元半導体 (CH)_x の光学的性質 II
-
2a-N-9 (SN)_x,(SNBr_a4)_x 単結晶の SOR 分光
-
2p GC-5 一次元半導体 (CH)_xの光学的性質
-
5p-AE-7 アンスラセン結晶のバイブロニック励起子スペクトル
-
電導性ポリマ-単結晶の作成と物性
-
3a-A3-5 Nb_3Te_4結晶中の格子欠陥の高分解能観察
-
28p-PS-10 正方晶Ba_2YCu_O_(X=0.13, y=0.24)の結晶構造
-
E. Kaldis 編: Series, Current Topics in Materials Science, Vols. 1〜9, North-Holland, Amsterdam and New York, 23×15.5cm, Vol. 1: 1978, xii+762ページ, 32,110円, Vol. 2 (Crystal Growth and Materials): 1977, xiv+918ページ, 42,750円 (この編のみ H. J. Scheel と共編), Vol. 3: 19
-
31p-K-11 (SN)_x単結晶の双晶構造
-
30a-B-4 PAA単結晶の転位構造
-
3a-X-5 SnO_2双晶ウィスカー
-
29p-D-12 (SN)_xの結晶組織とマイスナー効果
-
29p-ZN-4 テトラポット状ZnO粒子の成長機構
-
31p-L-10 ZnCr_2Se_4のVUVおよびXUV反射分光
-
テトラポット状ZnO粒子の成長機構 : モルフォロジーI
-
3a-NGH-20 一次元超伝導体Nb_3S_4のVUV反射スペクトル
-
圧力下におけるアンスラセンの移動度の測定 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
-
アンスラセンの電気伝導度の温度変化(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
-
(SN)xの製法と物性 (伝導性低次元物質の化学) -- (1次元ポリマ-)
-
1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
-
アンスラセンの表面電位の測定 : 分子結晶・有機半導体
-
アンスラセンの表面電場効果 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
-
1a-S-2 (SN)_x, PTSの陽電子消滅
-
1p-D3-8 Fe_3O_4の電子線回折 IV(1p D3 磁性(酸化物))
-
31a-E3-6 Nb_3Te_4の低温度領域の電顕観察II(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク