29a-E-14 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 IV

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1986-09-12

著者

• 中田 一郎

  物性研

• 石田 武和

  茨城大理

• 中田 一郎

  東大物性研

• 門田 健次

  デンカ中研

関連論文

• 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
• 3a-G-4 (SN)_xのNMR
• 5a-A-11 Nb_3Te_4の低温領域の電顕観察
• 5a-A-10 擬一次元合成金属Nb_3Te_4の低温における電気的性質の異常
• 14a-S-11 Nb_3Te_4の電気伝導
• 31p-E-14 Nb_3Se_4の電気伝導と超伝導
• 3a-NE-1 Nb_3S_4の電気的性質
• 4a-B-3 GeSeの負磁気抵抗効果
• 30a-E-1 GeSe単結晶の電気的特性
• アントラセンの電気伝導度とその機構の考察 : 半導体(化合物・有機)
• アントラセンの帯域純化法と移動度(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• アンスラセンの内部におけるキャリヤ移動度の測定 : 半導体
• 4p-L-13 アンスラセンの内部におけるキャリヤーの移動度の測定
• 12a-A-8 アンスラセンの比抵抗の測定
• 12a-A-7 アンスラセン光伝導に対する気体吸着の影響
• アンスラセンの光伝導に対する温度の影響 : 半導体
• 2p-L-8 アンスラセン単結晶の光伝導
• 8p-C-14 cholesteric-Nematic系 液晶の光学的性質(II)
• 研究速報 : アモルファス磁場中結晶化法による Nd-Fe-B 系永久磁石材料の研究
• 30p-RC-10 陽電子消滅二次元角度相関法による (SN)_xの研究
• 3a-F-1 フラックス法育成におけるオルソフェライト単結晶の表面構造と結晶成長機構
• 12a-R-8 フラックス法によって育成した(Sm,Tb)FeO_3 単結晶表面に見られる成長模様
• 3p-F-15 フラックス法によるRFeO_3単結晶の育成
• ベンゾキノン, ハイドロキノンの光電導 : 分子結晶・有機半導体
• 5p-P-1 FeCr_2S_4, CoCr_2S_4の磁気抵抗の異方性
• 4a-H-11 CoCr_2S_4,FeCr_2S_4の磁気抵抗効果
• 8p-F-7 ACr_2X_4(A=Zn,X=Se)(A=Fe,Co,X=S)の作成とその2,3の性質
• 12a-PS-11 In-doped CdSのアモルファス磁性
• 31p-E-15 擬1次元系Nb_3Se_4のマイスナー効果
• (SN)x (低次元物質特集号) -- (低次元導体)
• 3p-Q-14 イオン打ち込みSiのピコ秒レーザー照射による表面の構造変化
• 31p-K-13 (SN)_xの陽電子消滅
• 31p-CK-8 (SN)_x の結晶成長
• 10a-S-1 (SN)_x単結晶育成と問題点
• 27a-PS-36 YBa_2Cu_3O_7薄膜の非可逆曲線の2段転移と非線形帯磁率
• 25a-PS-28 Bi系2201相のTc
• 25a-PS-27 Bi系3相の静帯磁率とESR : 粉末化と再Pニールの効果
• Bi系3相のクエンチ物性比較
• Bi2212相のdc帯磁率とESR
• Biクエンチ系の超伝導 : Bi_2Sr_2Cu_1, O_x
• 6p-Z-9 Biクエンチ系の静帯磁率, ESR, ホール係数, NQR
• 6p-Z-4 Higher-Harmonic Susceptibility of YBa_2Cu_3O_<:7-δ>l:
• 5p-ZB-14 RBa_2Cu_3O_(R=Y, Sm, Ho)熱重量変化と高温比熱
• 5a-Y-1 フェノール処理によるBi系2212相のTc上昇
• 5p-PS-64 クエンチによるBi-Sr-Ca-Cu-O系のT_cの上昇
• 27p-PS-64 ErBa_2Cu_3O_のac帯磁率
• 29a-E-14 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 IV
• 2a-R-12 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 II
• 2p-RM-3 多重連結ジョセフソン系の電気抵抗と複素帯磁率II : Nb
• 13p-C-3 多重連結ジョセフソン系の電気抵抗と複素帯磁率
• 30p-B-6 |X_3|によるNb_3Se_4の超伝導転移
• 1p-L-13 |χ_3|によるNbTi多芯線の第2転移
• 4p-NF-6 多重連結ジョセフソン回路網の超伝導転移と第3調波帯磁率
• 31a-Q-3 多重連結ジョセフソン回路網の超伝導転移とac帯磁率
• 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
• 29p-PS-30 ReBa_2Cu_3O_のマイスナー効果、磁化率
• 29p-PS-29 Y-Ba-Cu_-M_x-O系の超伝導
• 2a-N-11 (SN)_x のマイスナー効果
• 2a-N-10 (SN)_x の磁化率虚数部
• 2a GC-14 (SN)_x, (SNBr_y)_xの近赤外から紫外スペクトル
• 6a-AE-5 (SN)_x蒸着膜の性質
• 31p-CK-13 (SN)_x 結晶の光学的性質
• 6a-L-9 アンスラセンの光伝導スペクトルに対する気体吸着の影響
• 2p-N-2 一次元半導体 (CH)_x の光学的性質 II
• 2a-N-9 (SN)_x,(SNBr_a4)_x 単結晶の SOR 分光
• 2p GC-5 一次元半導体 (CH)_xの光学的性質
• 5p-AE-7 アンスラセン結晶のバイブロニック励起子スペクトル
• 電導性ポリマ-単結晶の作成と物性
• 4a-J-3 Tc_xRe_の超伝導
• 3a-A3-5 Nb_3Te_4結晶中の格子欠陥の高分解能観察
• 28p-PS-10 正方晶Ba_2YCu_O_(X=0.13, y=0.24)の結晶構造
• E. Kaldis 編: Series, Current Topics in Materials Science, Vols. 1〜9, North-Holland, Amsterdam and New York, 23×15.5cm, Vol. 1: 1978, xii+762ページ, 32,110円, Vol. 2 (Crystal Growth and Materials): 1977, xiv+918ページ, 42,750円 (この編のみ H. J. Scheel と共編), Vol. 3: 19
• 31p-K-11 (SN)_x単結晶の双晶構造
• 30a-B-4 PAA単結晶の転位構造
• 29p-D-12 (SN)_xの結晶組織とマイスナー効果
• 31p-L-10 ZnCr_2Se_4のVUVおよびXUV反射分光
• 3a-NGH-20 一次元超伝導体Nb_3S_4のVUV反射スペクトル
• 圧力下におけるアンスラセンの移動度の測定 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• アンスラセンの電気伝導度の温度変化(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• (SN)xの製法と物性 (伝導性低次元物質の化学) -- (1次元ポリマ-)
• 1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
• 4a-H-3 ac帯磁率法によるテクネチウムの超伝導転移
• アンスラセンの表面電位の測定 : 分子結晶・有機半導体
• アンスラセンの表面電場効果 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• 1a-S-2 (SN)_x, PTSの陽電子消滅
• 2a-NE-13 ブリッジマン法によるアンスラセン単結晶の格子欠陥
• 31a-S-4 ポリジアセチレンPTS単結晶の重合機構
• 29p-D-13 (SN)_2より(SN)_x単結晶への成長過程
• 29p-B-12 混晶フレンケル励起子のアンダーソン転移
• 29p-L-7 最近の興味ある超伝導物質 : (SN)_xの超伝導 (最近の興味ある超伝導物質)
• 4p-Z-21 ナフタリン同位体混晶バイブロニック励起子の動力学的性質
• 2p GB-1 アンスラセン同位体混晶の励起子共鳴ラマン散乱
• 3p-DR-1 アンスラセン混晶C_H_-C_D_の発光スペクトル〜クラスター効果〜
• 1p-PS-32 YBa_2Cu_3O_とLa_Sr_CuO_4の磁束侵入度の温度依存性(低温(酸化物超伝導体))
• 30p-CB-10 セレノヨウ化ニオブ表面のミクロステップ構造と結晶成長機構(30p CB 結晶成長)
• 31a-E3-6 Nb_3Te_4の低温度領域の電顕観察II(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
• 1a-A6-7 一次元系結晶NbSe_4I_xの結晶成長と表面ミクロステップ構造(1a A6 結晶成長,結晶成長)
• 31-aD5-6 電極を用いないAg_3SIのイオン伝導度の測定(31 aD5 イオン結晶・光物性(超イオン伝導体),イオン結晶・光物性)
• 31-aD5-10 RbAg_4I_5の超イオン伝導電流の交流一周期測定(31 aD5 イオン結晶・光物性(超イオン伝導体),イオン結晶・光物性)
• 30a-BD-11 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定III(30a BD イオン結晶・光物性(超イオン伝導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク