家泰 弘 | 東大物性研

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概要

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関連著者

• 家泰 弘

  東大物性研

• 家 泰弘

  物性研

• 家泰 弘

  東大物性研:crest Jst

• 勝本 信吾

  東京大学物性研究所

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 家 泰弘

  東大物性研

• 家 泰弘

  東京大学物性研究所

• 遠藤 彰

  東大物性研

• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• 橋本 義昭

  東京大学物性研

• 勝本 信吾

  東京大学物性研

• Endo A

  Tokyo Noko Univ. Tokyo Jpn

• Endo Akira

  Energy-efficient Chemical Systems Group Research Institute For Innovation In Sustainable Chemistry N

• 遠藤 彰

  室蘭工業大学大学院

• 春山 純志

  青学大理工

• 春山 純志

  青山学院大 大学院

• 藤田 和博

  東京大学物性研究所

• 藤田 和博

  東京大学物性研

• 藤田 和博

  東大物性研

• 橋本 義昭

  東大物性研

• 上川 正太

  青山学院大学理工学専攻

• Rao A.

  クレムソン大

• 春山 純志

  青学理工:jst-crest

• 金 善宇

  東京大学物性研究所

• 中村 壮智

  東大物性研

• 丸山 茂夫

  東京大学機械工学専攻

• 八木 優子

  青山学院大学理工学専攻

• 加藤 悠人

  東京大学物性研究所

• 橋本 泰樹

  青山学院大学理工学専攻

• 趙 沛

  東大

• 加藤 悠人

  東大物性研

• 中村 壮智

  東京大学物性研究所

• 里見 槙平

  青山学院大学理工学専攻

• 櫻元 健志

  青山学院大学理工学専攻

• 小杉 直輝

  青山学院大学理工学専攻

• 趙 沛

  東京大学機械工学専攻

• 尹 東河

  東大物性研

• 高橋 侑市

  東大物性研

• 上條 潤一

  青山学院大理工

• 加藤 建彰

  青山学院大理工

• 大野 英男

  東北大通研

• 佐々木 義智

  群馬大学工学部

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 為ヶ井 強

  東大物性研

• 田沼 静一

  群馬大工

• 竹内 啓悟

  京大院情報

• 松倉 文礼

  東北大通研

• 佐々木 義智

  群馬大工

• 春山 純志

  青山学院大理工

• 大岩 顕

  東大物性研

• 沈 愛東

  東北大通研

• 伊藤 和男

  群馬大工

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 藤岡 博幸

  東大物性研

• 平澤 正勝

  Crest

• 松倉 文

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 菅原 靖宏

  東北大通研

• 平澤 正勝

  東大物性研

• 家 泰弘

  物理系学術誌刊行協会

• Endo A

  Sumitomo Heavy Industries Ltd.

• Endo Akira

  Department Of Chemistry Faculty Of Science And Technology Sophia University

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• Soerdal Vegard

  東京大学物性研究所

• Rao A.

  クレムソン大学

• 中村 悠紀

  青山学院大学理工学専攻

• Thurakitseree T.

  東京大学機械工学専攻

• 春山 純志

  青山学院大学理工学専攻

• 竹内 啓悟

  青山学院大学理工学専攻

• 小杉 直樹

  青山学院大学理工学専攻

• 天野 裕昭

  東大物性研

• 高井 久弥

  東大物性研

• 小池 啓太

  東大物性研

• 小早川 周平

  東大物性研

• 橋本 泰樹

  青山学院大理工

• 橋本 大樹

  青山学院大理工

• Yan Z.

  Rice University

• Tour J.

  Rice University

• Soriano D.

  Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology

• Roche S.

  Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology

• 岸本 将広

  青山学院大理工

• 八木 優子

  青山学院大理工

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著作論文

• 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
• 18pYH-3 分数量子ホール効果のエッジチャネルの単電子トランジスタによる検出
• 近頃の学生さん
• 27aCE-2 (Ca,Mn)Asの格子歪み緩和と成長面内磁気異方性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aCE-12 スピン軌道相互作用の強い量子ドット-アハロノフボームリング複合系の伝導(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-8 六方格子変調を加えた二次元電子系における幾何学共鳴の電荷密度依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-5 量子ホール系の直流電流加熱による熱起電力 : 充填率および電流・磁場方向依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 会長になって良かったこと
• 20aFB-4 スピン軌動相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFB-6 量子ホール領域におけるペルチェ効果の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aEC-9 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pEC-5 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pFB-11 (Ga,Mn)Asの格子歪みと磁気異方性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pFB-5 アンドレーフ反射に対する横方向電流の効果(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-12 量子ホール領域での電流による加熱とペルチェ冷却(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-9 高周波加熱を利用した量子ホール領域での熱電効果の測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-8 熱電効果による1次元平面超格子における整合性振動の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXQ-10 スピン軌道相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出II(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXL-9 Nb/InAs接合におけるAndreev反射の横方向電流および磁場方向依存性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-12 強磁性グラフェンナノ細孔アレイで創製したTMR構造の物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-11 SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)

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