日比野 浩樹 | NTT基礎研
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概要
関連著者
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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影島 博之
NTT物性基礎研
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田邉 真一
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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山口 浩司
根室市立病院外科
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本間 芳和
東京理科大学
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村木 康二
NTT物性基礎研
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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永瀬 雅夫
徳島大工
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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関根 佳明
NTT-BRL
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
NTT境界領域研究所
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篠田 幸信
NTT基礎研
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
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高瀬 恵子
Ntt物性基礎研
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田中 悟
九大院工
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島野 亮
東大理
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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森田 康平
九大院工
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西岡 孝
Ntt基礎研
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住友 弘二
NTT基礎研
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柳 済允
東大理
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
Ntt物性科学基礎研究所
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清水 延男
NTT基礎研
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高瀬 恵子
Ntt物性科学基礎研究所
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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小栗 克弥
Ntt物性基礎研
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松永 隆佑
東大理
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湯本 郷
東大理
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阿久津 典子
大阪電通大工
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山本 隆夫
群馬大工
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青木 秀夫
東大理
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福谷 克之
東大生研
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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熊田 倫雄
NTT物性基礎研
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関根 佳明
NTT物性研
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山本 隆夫
群馬大学工学部共通講座
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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家 泰弘
物性研
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松本 益明
東大生研
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岡野 達雄
東大生研
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橋坂 昌幸
東工大極低温セ:東工大院物性物理
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水野 清義
九大院総理工
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チェンダ スレイ
九大院工
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萩原 好人
九大院工
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林 賢二郎
九大院総理工
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川村 隆明
山梨大教育
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島野 亮
東大・工
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家 泰弘
東京大学物性研究所
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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福谷 克之
東大生産技術研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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鎌田 大
東工大極低温セ:ntt物性基礎研
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鎌田 大
NTT物性基礎研
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春山 純志
青学大理工
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小林 慶裕
NTT基礎研
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小林 慶裕
阪大
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小栗 克弥
NTT物性科学基礎研究所
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春山 純志
青山学院大理工
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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相沢 則行
東学大
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本間 芳和
NTT電応研
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鈴木 峰晴
NTT境界領域研究所
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相沢 則行
東京学芸大学
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杉井 清昌
NTT基礎研
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橋本 義昭
東京大学物性研究所
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勝本 信吾
東京大学物性研究所
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岡村 典子
お茶の水大・理
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藤澤 利正
東工大院理工
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家泰 弘
東大物性研
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家泰 弘
東大物性研:crest Jst
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阿久津 典子
大阪電通大大学院総合電子工学専攻
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山本 隆夫
群馬大院・工
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阿久津 典子
学習院大学理学部
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阿久 津典子
大阪電気通信大学工学部
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森田 康平
九州大学大学院工学研究院
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橋坂 昌幸
東工大院理工
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永瀬 雅夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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高木 大輔
NTT物性科学基礎研究所
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春山 純志
青山学院大 大学院
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
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阿久津 典子
大阪電通大
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田邉 真一
NTT物性科学基礎研究所
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森本 高裕
理研
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八木 優子
青山学院大学理工学専攻
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藤田 和博
東京大学物性研究所
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橋本 泰樹
青山学院大学理工学専攻
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田邊 真一
NTT基礎研
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田邊 真一
NTT物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東京理科大
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橋本 泰樹
青山学院大理工
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上條 潤一
青山学院大理工
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加藤 建彰
青山学院大理工
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岸本 将広
青山学院大理工
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藤田 和博
東京大学物性研
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八木 優子
青山学院大理工
-
橋本 義昭
東京大学物性研
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相沢 則行
東京学芸大
-
勝本 信吾
東京大学物性研
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熊田 倫雄
NTT物性科学基礎研究所
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山本 隆夫
群馬大
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橋坂 昌幸
東工大院理
-
藤澤 利正
東工大院理
著作論文
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- LEEDとRHEED
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 28p-WB-3 Si(111)表面でのSi、Pb原子の置換現象のSTM観察
- 14a-DH-13 Si(111)表面でのGe固相成長過程のSTM観察
- 29p-H-6 微傾斜Si(111)表面でのステップ三重化転移の高温STM観察
- グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
- SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
- SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
- 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHA-7 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
- 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXT-8 SiC上エピタキシャルグラフェンの量子テラヘルツファラデー回転・カー回転(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXT-7 SiC上成長エピタキシャルグラフェンにおけるプラトー間遷移(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-11 SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pPSA-27 単層グラフェンの量子ファラデー回転角における面積充填率の影響(29pPSA 領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))