25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-08-18
著者
-
日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
-
関根 佳明
NTT物性研
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
山口 浩司
Ntt物性基礎研
-
山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
-
永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
-
関根 佳明
NTT-BRL
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
山口 浩司
三菱重工業(株)
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
-
関根 佳明
Ntt物性基礎研
-
山口 浩司
根室市立病院外科
関連論文
- 22pGV-7 SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pGP-1 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析(21pGP 領域7,領域9合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pHY-10 超伝導共振器における共振周波数の温度依存性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXG-1 InGaAs量子井戸長方形ループ配列における異方的なスピン干渉効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-3 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-7 v=1量子ホール状態近傍における光誘起カー効果によるスカーミオン生成・消滅のダイナミクスの観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aWH-8 高次奇数占有数におけるSkyrmionの存在の検証II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aTA-9 InGaAs/InAlAs量子井戸における三角形ループ配列構造を用いたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aTA-10 三角形ループにおけるRashba、Dresselhaus項を含めたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pXB-9 正方形ループ配列構造におけるスピン干渉効果のラシュバ、ドレッセルハウス項を含めた解析(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
- 25pPSA-14 第一原理計算によるPt薄膜の磁性(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 26aWQ-10 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用の弱反局在とシュブニコフード・ハース振動のビート解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
- ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
- 26aXL-4 磁性細線中に捕捉された磁壁の局所ホール効果による検出(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-10 局所ホール効果を用いた磁壁速度の測定(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
- Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
- ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
- 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aPS-60 第一原理計算による二次元系Pdの磁性発現に関する研究(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21aWH-9 SiO_2/Si(100)界面でのSi輸送過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 第一原理計算法I
- 26aYK-9 SiO_2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 14pTJ-2 SiO_2 中格子間酸素の構造および拡散の歪みによる影響(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 15aPS-30 SiO_2/Si(100) 界面における酸素分子反応の第一原理計算(領域 9)
- 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
- 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
- 28pPSB-43 SiO_2/Si(100) 界面での酸素原子反応過程の理論的検討
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 23aYD-14 シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動 : 第一原理分子動力学計算からのアプローチ
- 新しい機能性ナノ構造開発のための計算物理技術 (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)
- Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
- 19aYN-7 Si酸化における原子輸送の物理(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
- 解説 シリコン熱酸化の新しい描像
- 極薄シリコン酸化膜形成の理論
- SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (シリコン材料・デバイス)
- SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
- 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
- Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
- 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
- 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aEC-5 SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pFB-4 Rashba場反転によるメゾスコピック系時間反転量子干渉振動一致度の定量的評価(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pPSA-30 Pd超薄膜の磁性の層数依存性(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-25 第一原理計算によるPd超薄膜の電子構造及び磁気特性の検討(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 9aSN-9 SiO2/Si(100)界面近傍における原子状酸素の安定性(表面・界面ダイナミクス,領域9)