永瀬 雅夫 | NTT物性基礎研
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概要
関連著者
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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影島 博之
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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山崎 謙治
NTT物性科学基礎研究所
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栗原 健二
NTT物性科学基礎研
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大物理
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栗原 健二
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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堀口 誠二
NTT物性科学基礎研究所
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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山本 泰己
関西大学 大学院工学研究科
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大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
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山口 浩司
根室市立病院外科
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太田 英二
慶應義塾大学
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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宮崎 康晶
NTT物性科学基礎研究所
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生津 英夫
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北大
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生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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宮崎 康晶
Ntt物性科学基礎研究所:慶應義塾大学大学院理工学研究科
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太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
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小野 行徳
Ntt
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尾嶋 正治
東大工
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関根 佳明
NTT物性研
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関根 佳明
NTT-BRL
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小野 寛太
東大工
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山田 素久
東大院工
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山田 素久
東大工
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小野 寛太
総研大・高エ研
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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山口 徹
NTT物性科学基礎研
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竹中 久貴
NTT-AT
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竹中 久貴
Ntt-a
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
著作論文
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 原子間力顕微鏡によるナノ構造計測
- 23pZN-7 Siナノ構造の酸化 : 熱酸化の自己停止
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構