日比野 浩樹 | NTT物性科学基礎研
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概要
関連著者
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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大阪電通大工
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山本 隆夫
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群馬大学工学部共通講座
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NTT物性基礎研
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NTT物性基礎研
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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お茶の水大・理
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群馬大院・工
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大阪電通大
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東京理科大学
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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三菱重工業(株)
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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学習院大学理学部
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大阪電気通信大学工学部
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根室市立病院外科
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荻野 俊郎
Ntt物性科学基礎研究所
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田中 悟
九大院工
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舘野 功太
NTT物性科学基礎研究所
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山本 隆夫
群馬大院工
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中辻 寛
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小森 文夫
東大物性研
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関根 佳明
NTT-BRL
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森田 康平
九大院工
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水野 清義
九大院総理工
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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相澤 則行
東学大
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HU Changwu
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
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TSONG Ignatius
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
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FINNIE Paul
NTT物性基礎研
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萩野 俊郎
NTT物性基礎研
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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Hu Changwu
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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Tsong Ignatius
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
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舘野 功太
Ntt物性基礎研
著作論文
- 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pGP-1 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析(21pGP 領域7,領域9合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察