日比野 浩樹 | Ntt 物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
NTT境界領域研究所
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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三木 一司
電総研
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三木 一司
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
電総研
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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小林 慶裕
阪大
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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本間 芳和
NTT電応研
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福田 常男
NTT通研
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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相澤 則行
東学大
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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小林 慶裕
NTT基礎研
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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小林 慶裕
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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相沢 則行
東学大
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住友 弘二
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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鈴木 峰晴
NTT境界領域研究所
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相沢 則行
東京学芸大学
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鈴木 峰晴
NTT通研
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日比野 浩樹
NTT研究所
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鈴木 峰晴
NTT研究所
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本間 芳和
NTT研究所
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福田 常男
NTT研究所
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日比野 浩樹
NTT通研
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本間 芳和
NTT通研
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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FINNIE Paul
NTT物性基礎研
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萩野 俊郎
NTT物性基礎研
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
日本電信電話(株)
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日比野 浩樹
日本電信電話(株)
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本間 芳和
NTT 基礎総研
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日比野 浩樹
NTT 基礎研
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荻野 俊郎
NTT 基礎研
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篠田 幸信
NTT基礎研
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杉井 清昌
NTT基礎研
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McClell R.J.
NTT電応研
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日比野 浩樹
基礎研
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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高木 大輔
NTT物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東京理科大
-
相沢 則行
東京学芸大
著作論文
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 5P-E-10 Si(111)微斜表面のステップ構造に対する電流効果
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長