本間 芳和 | 日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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小林 慶裕
阪大
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渡辺 義夫
SPring-8, JASRI
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本間 芳和
東京理科大学
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渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
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渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
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鈴木 哲
農工大院工
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鈴木 哲
NTT物性基礎研
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渡辺 義夫
Ntt物性研
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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渡辺 義夫
NTT物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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Heun S.
Sincrotrone Trieste
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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小林 慶裕
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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住友 弘二
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
日本電信電話(株)
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荻野 俊郎
横浜国立大学
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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相澤 則行
東京学芸大学教育学部自然科学系基礎自然科学講座物理科学分野
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村上 浩一
筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"
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目良 裕
東大工
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前田 康二
東大工
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大野 雄高
名大工
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奥野 恒久
和歌山大シス工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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伊東 千尋
和歌山大シス工
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目良 裕
東大院工
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荻野 俊郎
横浜国立大学工学府物理情報工学専攻
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
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山田 明
東工大
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相澤 則行
東学大
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上田 修
金沢工大
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石橋 幸治
理研
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中嶋 健
東京工業大学
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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前田 文彦
Ntt物性基礎研
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森田 清三
阪大院
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重川 秀実
筑波大物質工
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高井 健一
Ntt 技術協力センタ
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粟野 祐二
慶大
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井筒 香
早稲田大学:(現)ntt技術開発支援センタ
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荒川 太郎
横浜国大
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南雲 道彦
早稲田大学理工学部
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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竹中 久貴
NTTアドバンス
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本間 芳和
東理大理
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高橋 琢二
東大
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佐野 芳明
沖電気
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中嶋 健
東工大
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松本 和彦
阪大
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落合 幸徳
JST
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篠塚 雄三
和歌山大
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徳光 永輔
東工大
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荒川 太郎
横国大
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佐藤 信太郎
富士通研
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赤澤 方省
NTT
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渡辺 精一
北大
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尾崎 信彦
和歌山大
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高井 健一
日本電信電話株式会社 技術協力センタ
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本間 芳和
日本電信電話株式会社境界領域研究所
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本間 芳和
日本電信電話(株)境界領域研究所
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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森田 清三
阪大理
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須原 理彦
首都大
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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張 朝暉
北京大学
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渡辺 精一
北大・工学部
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尾嶋 正治
日本電信電話(株)境界領域研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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南雲 道彦
九州大学:(独)産業技術総合研究所
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本間 芳和
Ntt 境界領域研
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南雲 道彦
早稲田大学
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前田 文彦
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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高木 大輔
明治大院理工
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Gregoratti L.
Sincrotrone Trieste
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Barinov A.
Sincrotrone Trieste
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Kiskinova M.
Sincrotrone Trieste
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篠塚 雄三
和歌山大学大学院システム工学研究科
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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福場 伸哉
明治大理工
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Locatelli A.
Sincrotrone Trieste
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本間 芳和
日本電信電話(株)基礎技術総合研究所
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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大野 雄高
名大
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松井 真二
兵庫県立大
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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FINNIE Paul
NTT物性基礎研
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日比野 浩樹
日本電信電話(株)
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奥野 恒久
和歌山大
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重川 秀実
筑波大
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村上 浩一
筑波大
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森田 清三
阪大
-
南雲 道彦
早大理工
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BOTTOMLEY David
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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ZHANG Zhaohui
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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伊東 千尋
和歌山大
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Tonchev V.
IPCBAS
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Pimpinelli A.
LASMEA
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黒沢 賢
NTT アドバンストテクノロジ(株)材料開発&分析センタ
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竹中 久貴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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荻原 俊弥
NTTアドバンステクノロジ(株)
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山田 明
東工大量子セ
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黒沢 賢
Nttアドバンステクノロジ株式会社
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相澤 則行
東京学芸大
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荻原 俊弥
Nttアドバンステクノロジ(株)材料分析センタ
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前田 康二
東大、工
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松井 真二
Nec 基礎研
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Finnie Paul
Ntt物性科学基礎研究所 日本電信電話株式会社
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前田 康二
東大 工
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尾身 博雄
Ntt物性基礎研
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荻野 俊郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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本間 芳和
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
著作論文
- ナノ構造技術
- 昇温脱離した高強度鋼中水素の二次イオン質量分析法によるトラップサイトの同定
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- LSI技術におけるカーボンナノチューブ配線 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 材料・応用編 カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 半導体
- 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
- 単層カーボンナノチューブの発光
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
- 薄膜・表面
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 半導体
- SIMSによるSi,GaAs中の不純物分析
- 極浅領域の深さ方向分析多層BNデルタドープ標準物質とそれによるスパッタ速度変化の評価
- Si基板上の単層カーボンナノチューブのSEM観察
- イオン照射による化合物半導体表面の変質現象
- 二次イオン質量分析法による定量分析と標準化
- 二次イオン質量分析法の標準化