渡辺 義夫 | Spring-8 Jasri
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概要
関連著者
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渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
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前田 文彦
Ntt物性基礎研
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渡辺 義夫
SPring-8, JASRI
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尾嶋 正治
Ntt境界領域研究所
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渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
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鈴木 哲
農工大院工
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渡辺 義夫
NTT境界領域研究所
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渡辺 義夫
Ntt物性研
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渡辺 義夫
NTT物性基礎研
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渡辺 義夫
NTT基礎研
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前田 文彦
NTT境界領域研究所
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水口 将輝
東北大学
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小嗣 真人
Jasri
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鈴木 哲
NTT物性基礎研
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前田 文彦
NTT基礎研
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小野 寛太
総研大・高エ研
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清倉 孝規
NTT物性基礎研
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高梨 弘毅
東北大金研
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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Takanashi K
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:the Research Institute For Iron Steel And Othe
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Takanashi K
Institute For Materials Research Tohoku University
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高梨 弘毅
東北大学
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小嗣 真人
JASRI SPring-8
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渡辺 義夫
JASRI SPring-8
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渡辺 義夫
Jasri
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荻野 俊郎
横国大
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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高梨 弘毅
東北大学 金属材料研究所
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Heun S.
Sincrotrone Trieste
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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尾嶋 正治
東大工
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佐々木 高義
物材機構
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小嗣 真人
SPring-8, JASRI
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長田 実
理研
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佐々木 高義
無機材質研究所
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佐々木 高義
物材機構:crest
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佐々木 高義
無機材研
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佐々木 高義
科学技術庁無機材質研究所
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小野 寛太
高エ研
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小谷 佳範
高エネ研PF
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小野 寛太
高エネ研PF
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小野 寛太
東大工
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藤岡 洋
東大工
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小嶋 隆幸
東北大金研
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谷内 敏之
東大物性研
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柿崎 明人
東京大学放射光連携研究機構(物性研究所)
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長田 実
物材機構MANA
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長田 実
物質・材料研究機構 物質研究所 ソフト化学グループ
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佐々木 高義
(独)物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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杉山 宗弘
NTT境界領域研究所
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本間 芳和
東理大
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Nath Krishna
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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佐々木 高義
物質・材料研究機構
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佐々木 高義
(独)物質・材料研究機構 若手国際研究センター
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佐々木 高義
(独)物質・材料研究機構 ナノスケール物質センター
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佐々木 高義
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクスセンター・ナノスケール物質センター
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佐々木 高義
独立行政法人 物質・材料研究機構 物質研究所
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佐々木 高義
無機材質研究所第8研究グループ
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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長田 実
東京工大 工材研
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小嶋 隆幸
東北大学大学院
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谷内 敏之
東大物性研:JST-CREST
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小嶋 隆幸
東北大学
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田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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水口 将輝
東大工
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浦上 武
東大工
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田中 雅明
東大工
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鈴木 哲
NTT基礎研
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清倉 孝規
NTT基礎研
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柿崎 明人
物構研
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佐々木 高義
物材機構MANA
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小谷 佳範
総研大・高エ研
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前山 智
NTT境界領域研究所
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清倉 孝規
NTT境界領域研究所
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柳下 明
物講研
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廣田 幸弘
NTT基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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福場 伸哉
明治大理工
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Locatelli A.
Sincrotrone Trieste
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Nath K.G.
NTT物性基礎研
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荻野 俊郎
Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
横浜国立大学
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荻野 俊郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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杉山 宗弘
NTT境界研
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大河内 拓雄
原子力機構放射光
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齋藤 智彦
東理大理
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斎藤 智彦
高エ研pf
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郭 方准
JASRI SPring-8
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大坂 恵一
JASRI SPring-8
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秋永 広幸
JRCAT
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大河内 拓雄
JASRI
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住友 弘二
NTT基礎研
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水口 将輝
東北大金研
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小嗣 真人
JASEI SPring-8
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渡辺 義夫
JASEI SPring-8
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水口 将輝
JASRI, SPring-8
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高梨 弘毅
JASRI, SPring-8
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堀場 弘司
東大工
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水口 将揮
東大工
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呉 鎮浩
東大工
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菊地 貴司
物構研
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柳下 明
物構研
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加藤 博雄
弘前大理工
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Zhou O.
ノースカロライナ大
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郭 方准
Jasri
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郭 方准
高輝度光科学研究センター
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齋藤 智彦
物構研PF
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小谷 佳範
高エ研
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堀場 弘治
理研 SPring-8
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赤塚 公章
物材機構
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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赤塚 公章
(独)物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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小林 慶裕
阪大
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斎藤 智彦
物講研
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柿崎 明人
物講研
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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村松 康司
兵庫県立大物質理:原子力機構放射光
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尾鳩 正治
NTT境界領域研究所
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前田 文彦
阪大工
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渡辺 義夫
阪大工
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尾嶋 正治
阪大工
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大井川 治宏
筑波大学物質工学系
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南日 康夫
筑波大学物質工学系
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道上 修
NTT境界領域研究所(旧電子応用研究所)
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大坂 恵一
SPring-8, JASRI
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Nath K.
原研東海
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前田 文彦
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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渡辺 義夫
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Nath K.G.
NTT基礎研
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村松 康司
NTT境界領域研究所
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高木 大輔
明治大院理工
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Gregoratti L.
Sincrotrone Trieste
-
Barinov A.
Sincrotrone Trieste
-
Kiskinova M.
Sincrotrone Trieste
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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Heun S.
シンクロトロネ トリエステ
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Zhu W.
ベル研
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Bower C.
ノースカロライナ大
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Bower Chris
ノースカロライナ大
-
Zhou Otto
ノースカロライナ大
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福田 常男
NTT基礎研究所
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小金澤 智之
SPring-8
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大河内 拓雄
SPring-8, JASRI
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菊地 貴司
物構研PF
-
大坂 恵一
Spring-8
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小金沢 智之
立命館大学理工学部
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齋藤 智彦
物構研-PF
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大井川 治宏
筑波大学物理工学系
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シメカ トム
NTT境界領域研究所
著作論文
- 21aGC-6 磁気円二色性(MCD)および光電子顕微鏡(PEEM)を用いたL1_0-FeNiの磁性研究(21aGC 微小領域磁性(薄膜,人工格子,ナノ粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-10 人工創製されたL1_0-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察(領域3,領域9合同表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-10 人工創製されたL1_0-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
- 29a-ZH-1 量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C
- 26p-YJ-2 GaAs基板上に成長したMnAsドットの磁性
- 28aYH-7 剥離グラフェン薄膜の局所電子状態(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXB-8 単一の遷移金属酸化物ナノシートの電子状態(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pVA-5 遷移金属酸化物ナノシートの面内および層間電荷移動の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- InAsナノ結晶GaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
- 30p-H-3 光電子分光によるIII-V族化合物半導体表面の研究
- 30p-H-3 光電子分光によるIII-V族化合物半導体表面の研究
- 5a-Q-13 Sb終端GaAs(001)上Ag成長の初期過程
- 13a-DF-12 複合界面層による金属/GaAs界面反応抑制効果
- 29p-BPS-48 GaAs/SrF_2/EuBa_2Cu_3O_の界面反応
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- 時間分解内殻準位光電子分光による半導体表面過程の解析
- 25pT-8 GaAs(001)表面におけるダイナミクス : 4×2表面超構造の消滅過程の観察
- 24aPS-16 GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光 : 表面成分の観測
- 23aM-12 Photoemission experiment for Co film on Se/GaAs(001) : Study of satellite structures in Co- and Ga-3d spectra
- 24pW-1 GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析
- 25aYC-8 GaAsのGa 3d二正孔状態の共鳴光電子分光
- 28a-YR-9 Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の内殻準位光電子分光
- 2a-YF-7 In/GaSb(001)初期界面構造のRHEEDと内殻準位光電子分光による解析
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 8a-B-2 Sb/GaAs(001)の時間分解内殻光電子分光による解析
- 31a-J-6 リアルタイム光電子分光によるGaSb(001)成長表面の解析
- 放射光利用分析技術 (〔特集〕ナノエレクトロニクス材料の高度分析技術)
- InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
- 31a-S-8 GaSb(001)再構成表面の光電子分光
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 25pWL-2 光電子顕微鏡を用いたL1_0型FeNi規則合金の磁区構造観察(25pWL ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 30aZP-11 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察(2)(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- 23aYF-7 単層カーボンナノチューブ束の光電子分光
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 25pWL-3 単原子層交互積層法により作製したL1_0型FeNi規則合金の結晶構造解析(25pWL ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29a-G-6 Sb/GaAs(001)の表面超構造と放射光光電子分光
- 25p-Z-4 Se安定化GaAs表面の放射光光電子分光による解析