小谷 佳範 | 高エ研

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概要

• 同名の論文著者
• 高エ研の論文著者

関連著者

• 小野 寛太

  高エ研

• 小谷 佳範

  高エ研

• 出田 真一郎

  東大理

• 吉田 鉄平

  東大理

• 藤森 淳

  東大理

• 笹川 崇男

  東工大応セラ研

• 久保田 正人

  高エ研

• 西 一郎

  東大理

• 小谷 佳範

  高エネ研PF

• 中島 裕司

  東工大応セラ研

• 久保田 正人

  高工研

• 松尾 明寛

  東工大応セラ研

• Fujimori Atsushi

  Department Of Physics And Department Of Complexity Science And Engineering University Of Tokyo:japan

• 内田 慎一

  東大理

• 有田 亮太郎

  東大工

• 永崎 洋

  JST-TRIP

• 藤森 淳

  東大新領域

• 木方 邦宏

  JST-TRIP

• 李 哲虎

  JST-TRIP

• 小野 寛太

  高エネ研PF

• 有田 亮太郎

  JST-TRIP

• 有田 亮太郎

  東大工:js-crest

• 中島 正道

  東大理

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 小野 寛太

  高工研

• 内田 偵一

  東大工

• Fujimori Atsushi

  Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency:department Of Physics University Of

• 富岡 泰秀

  Jst-trip

• 内田 偵一

  東大理

• 李 哲虎

  産総研

• 永崎 洋

  産総研

• 藤森 伸一

  原子力機構放射光

• 内田 慎一

  東大院理

• Lu D.

  スタンフォード大

• Shen Z.-X.

  スタンフォード大

• 小嗣 真人

  JASRI SPring-8

• 佐々木 高義

  物材機構

• 伊豫 彰

  JST-TRIP

• 渡辺 義夫

  SPring-8, JASRI

• 長田 実

  理研

• 渡辺 義夫

  JASRI SPring-8

• 佐々木 高義

  無機材質研究所

• 佐々木 高義

  物材機構:crest

• 佐々木 高義

  無機材研

• 佐々木 高義

  科学技術庁無機材質研究所

• 伊藤 利充

  電総研

• 谷内 敏之

  東大物性研

• 渡辺 義夫

  Spring-8 Jasri

• 渡辺 義夫

  Jasri

• Shen Z-x.

  スタンフォード大

• 李 哲虎

  電子技術総合研究所

• 伊予 彰

  産総研

• Shen Z.-X

  スタンフォード大

• 小嗣 真人

  Jasri

• 長田 実

  物材機構MANA

• 佐々木 高義

  物材機構MANA

• 長田 実

  物質・材料研究機構 物質研究所 ソフト化学グループ

• 佐々木 高義

  (独)物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究

• 内田 慎一

  東大理:jst-trip

• Shen Z-x.

  スタンフォート大

• 中島 正道

  東大理:jst-trip

• 内田 愼一

  東大新領域

• 木方 邦弘

  産総研:jst-trip

• 伊藤 利光

  産総研:jst-trip

• 佐々木 高義

  物質・材料研究機構

• 佐々木 高義

  (独)物質・材料研究機構 若手国際研究センター

• 佐々木 高義

  (独)物質・材料研究機構 ナノスケール物質センター

• 佐々木 高義

  物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクスセンター・ナノスケール物質センター

• 佐々木 高義

  独立行政法人 物質・材料研究機構 物質研究所

• 佐々木 高義

  無機材質研究所第8研究グループ

• Shen Z.-x

  Stanford Univ.

• 長田 実

  東京工大 工材研

• 伊 豫彰

  JST-TRIP

• 伊藤 利光

  JST-TRIP

• 伊藤 利充

  JST-TRIP

• Lu D.

  Slac

• 藤森 淳

  東大理:JST-TRIP

• 吉田 鉄平

  東大理:JST-TRIP

• 組頭 広志

  高エ研

• 富岡 泰秀

  JST-TRIP:産総研

• 有田 亮太郎

  JST-TRIP:東大工

• 木方 邦宏

  JST-TRIP:産総研

• 谷内 敏之

  東大物性研:JST-CREST

• 中島 正道

  東大理:JST-TRIP:産総研

• 中島 正道

  JST-TRIP:産総研

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著作論文

• 28aYH-7 剥離グラフェン薄膜の局所電子状態(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aWH-4 角度分解光電子分光によるBaFe_Ni_xAs_2のフェルミ面と超伝導ギャップの観測(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 角度分解光電子分光によるBa(Fe_TM_x)_2As_2(TM=Ni, Cu)のフェルミ面観測
• 27pYA-1 電子ドープ型鉄系超伝導体Ba(Fe_T_x)_2As_2(T=Ni, Cu, Zn)におけるリジッドパンドモデルの破れの観測(27pYA 鉄砒素系5(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

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