InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
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概要
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ナノ結晶を用いて擬0次元量子箱構造を実現する際、量子ドットの量子化準位の値に大きく影響を及ぼす界面でのバンド不連続量に注目し、放射光光電子分光および紫外線光電子分光を用いてSe処理GaAs基板とInAsナノ結晶とのヘテロ界面の価電子帯バンド不連続性の評価を行った。その結果、As安定化GaAs基板とInAs結晶とのヘテロ界面の価電子帯バンド不連続量は-0.02eVになるのに対して、Se処理GaAs基板とInAsナノ結晶とのヘテロ界面の実効的な価電子帯バンド不連続量は-0.18eVとなった。この結果はInAs/Se/GaAs系に於いては正孔も,InAsナノ結晶中に閉じ込められることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-21
著者
-
尾嶋 正治
Ntt境界領域研究所
-
渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
-
前田 文彦
Ntt物性基礎研
-
渡辺 義夫
NTT境界領域研究所
-
前田 文彦
NTT境界領域研究所
-
清倉 孝規
NTT境界領域研究所
-
清倉 孝規
NTT物性基礎研
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