24pW-1 GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-03
著者
-
渡辺 義夫
SPring-8, JASRI
-
渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
-
渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
前田 文彦
Ntt物性基礎研
-
渡辺 義夫
Ntt物性研
-
渡辺 義夫
NTT物性基礎研
関連論文
- 21aGC-6 磁気円二色性(MCD)および光電子顕微鏡(PEEM)を用いたL1_0-FeNiの磁性研究(21aGC 微小領域磁性(薄膜,人工格子,ナノ粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-10 人工創製されたL1_0-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察(領域3,領域9合同表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-10 人工創製されたL1_0-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
- 29a-ZH-1 量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C
- 26p-YJ-2 GaAs基板上に成長したMnAsドットの磁性
- 28aYH-7 剥離グラフェン薄膜の局所電子状態(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXB-8 単一の遷移金属酸化物ナノシートの電子状態(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pVA-5 遷移金属酸化物ナノシートの面内および層間電荷移動の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- 第2回ナノスケール分光法とナノテクノロジーへの応用 : 国際ワークショップ報告
- InAsナノ結晶GaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
- 30p-H-3 光電子分光によるIII-V族化合物半導体表面の研究
- 30p-H-3 光電子分光によるIII-V族化合物半導体表面の研究
- 5a-Q-13 Sb終端GaAs(001)上Ag成長の初期過程
- 13a-DF-12 複合界面層による金属/GaAs界面反応抑制効果
- 29p-BPS-48 GaAs/SrF_2/EuBa_2Cu_3O_の界面反応
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- 時間分解内殻準位光電子分光による半導体表面過程の解析
- 25pT-8 GaAs(001)表面におけるダイナミクス : 4×2表面超構造の消滅過程の観察
- 24aPS-16 GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光 : 表面成分の観測
- 23aM-12 Photoemission experiment for Co film on Se/GaAs(001) : Study of satellite structures in Co- and Ga-3d spectra
- 24pW-1 GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析
- 25aYC-8 GaAsのGa 3d二正孔状態の共鳴光電子分光
- 28a-YR-9 Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の内殻準位光電子分光
- 2a-YF-7 In/GaSb(001)初期界面構造のRHEEDと内殻準位光電子分光による解析
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 8a-B-2 Sb/GaAs(001)の時間分解内殻光電子分光による解析
- 31a-J-6 リアルタイム光電子分光によるGaSb(001)成長表面の解析
- 放射光利用分析技術 (〔特集〕ナノエレクトロニクス材料の高度分析技術)
- InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
- 31a-S-8 GaSb(001)再構成表面の光電子分光
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 25pWL-2 光電子顕微鏡を用いたL1_0型FeNi規則合金の磁区構造観察(25pWL ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 30aZP-11 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察(2)(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- 23aYF-7 単層カーボンナノチューブ束の光電子分光
- 高輝度放射光を用いた気相中結晶成長過程のリアルタイム観察
- X線回折法による半導体ナノワイヤーの評価
- 高輝度放射光を用いた気相成長表面の実時間X線回折
- 半導体ナノワイヤ結晶
- 放射光光電子分光顕微鏡を用いた半導体ナノ結晶の評価
- 斜入射X線回折法による気相中半導体表面の解析=水素中InP表面超構造の解明=
- 高輝度放射光を用いた気相中結晶成長プロセス中の表面構造解析
- 高輝度放射光を用いた気相中結晶成長プロセス中の表面構造解析
- 放射光軟X線光電子顕微鏡による自己組織化InAsナノ結晶の分光型光電子顕微鏡観察
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 25pWL-3 単原子層交互積層法により作製したL1_0型FeNi規則合金の結晶構造解析(25pWL ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 半導体ナノ構造・量子デバイス
- 4a-PS-18 Ga,AS/EuBa_2Cu_3O_(001)の初期吸着過程
- 29a-G-6 Sb/GaAs(001)の表面超構造と放射光光電子分光
- 25p-Z-4 Se安定化GaAs表面の放射光光電子分光による解析
- 7pPSA-4 低温測定用角度分解光電子分光ビームラインの製作(領域5)
- 7pSP-5 分光型光電子顕微鏡による局所電子状態の研究(主題:表面光電子分光法の技術改革:表面量子準位からナノ構造まで,領域9シンポジウム,領域9)
- 9aSN-4 GaAs(001)の時間分解内殻準位光電子分光 : 2×4←→4×2超構造相転移過程(表面・界面ダイナミクス,領域9)