25aYC-8 GaAsのGa 3d二正孔状態の共鳴光電子分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-03
著者
-
斎藤 智彦
高エ研pf
-
渡辺 義夫
SPring-8, JASRI
-
渡辺 義夫
NTT基礎研
-
鈴木 哲
NTT基礎研
-
清倉 孝規
NTT基礎研
-
前田 文彦
NTT基礎研
-
渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
-
柿崎 明人
東京大学放射光連携研究機構(物性研究所)
-
鈴木 哲
農工大院工
-
前田 文彦
Ntt物性基礎研
-
斎藤 智彦
物講研
-
柿崎 明人
物講研
-
Nath Krishna
Ntt物性基礎研
-
清倉 孝規
NTT物性基礎研
-
Nath K.G.
NTT基礎研
-
柳下 明
物講研
-
Nath K.G.
NTT物性基礎研
関連論文
- 21aGC-6 磁気円二色性(MCD)および光電子顕微鏡(PEEM)を用いたL1_0-FeNiの磁性研究(21aGC 微小領域磁性(薄膜,人工格子,ナノ粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aPS-28 EuNi_2(Sl_Ge_x)_2(x=0.75, 0)の高分解能4d4f共鳴光電子分光
- 強磁性ニッケルのスピン分解光電子分光
- 25pRA-10 人工創製されたL1_0-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察(領域3,領域9合同表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-10 人工創製されたL1_0-FeNi超格子薄膜の磁区構造観察(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光
- 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
- 29a-ZH-1 量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C
- 26p-YJ-2 GaAs基板上に成長したMnAsドットの磁性
- 28aYH-7 剥離グラフェン薄膜の局所電子状態(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pPSB-21 EuNi_2(Si_Ge_x)_2の共鳴光電子分光II
- 26p-PSB-30 Resonant Photoemission and Optical Reflectivity Studies of Temperature-Induced Valence Transition Material EuNi_2(Si_Ge_x)_2
- 29pZH-9 S/GaAs (100) 上の Co クラスターの光電子分光
- 21aXB-8 単一の遷移金属酸化物ナノシートの電子状態(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 東京大学放射光アウトステーション計画
- 29pVA-5 遷移金属酸化物ナノシートの面内および層間電荷移動の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- 28a-YE-11 2600年前の鳥海神代杉年輪中の^14C濃度測定II
- 5a-H-1 2600年前の鳥海神代杉年輪中の^C濃度測定
- 鉄カルコゲナイド遍歴フェリ磁性体の光電子分光
- 29p-H-9 鉄カルコゲナイド遍歴フェリ磁性体の光電子分光
- 26p-N-8 (DI-DCNQI)_2M(M=Ag,Cu)の光電子分光II
- 1p-PSB-16 二次元伝導体 RPtAs(R=Ce,La)の光学伝導度の異方性
- 30a-YP-8 (DI-DCNQI)_2M(M=Ag,Cu)の光電子分光
- 25aYC-5 fcc Fe/Co(001)のスピン磁気モーメントの膜厚依存性
- 22pT-13 Si2p角度分解光電子分光によるSiO2/Si(100)界面構造に関する研究
- InAsナノ結晶GaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
- 30p-H-3 光電子分光によるIII-V族化合物半導体表面の研究
- 30p-H-3 光電子分光によるIII-V族化合物半導体表面の研究
- 5a-Q-13 Sb終端GaAs(001)上Ag成長の初期過程
- 13a-DF-12 複合界面層による金属/GaAs界面反応抑制効果
- 29p-BPS-48 GaAs/SrF_2/EuBa_2Cu_3O_の界面反応
- 31a-J-11 Ni(110) 吸着系の角度分解光電子分光
- 31a-J-10 Ni(110) - 吸着系のスピン分解光電子分光
- 31a-J-11 Ni(110)-O吸着系の表面電子状態と磁性
- 29p-H-10 Ni価電子帯6eVサテライトのスピン分解光電子分光
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- 時間分解内殻準位光電子分光による半導体表面過程の解析
- 25pT-8 GaAs(001)表面におけるダイナミクス : 4×2表面超構造の消滅過程の観察
- 24aPS-16 GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光 : 表面成分の観測
- 23aM-12 Photoemission experiment for Co film on Se/GaAs(001) : Study of satellite structures in Co- and Ga-3d spectra
- 24pW-1 GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析
- 25aYC-8 GaAsのGa 3d二正孔状態の共鳴光電子分光
- 28a-YR-9 Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の内殻準位光電子分光
- 2a-YF-7 In/GaSb(001)初期界面構造のRHEEDと内殻準位光電子分光による解析
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 8a-B-2 Sb/GaAs(001)の時間分解内殻光電子分光による解析
- 31a-J-6 リアルタイム光電子分光によるGaSb(001)成長表面の解析
- 放射光利用分析技術 (〔特集〕ナノエレクトロニクス材料の高度分析技術)
- InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
- 31a-S-8 GaSb(001)再構成表面の光電子分光
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 単層CNTの低エネルギー照射損傷
- 25pWL-2 光電子顕微鏡を用いたL1_0型FeNi規則合金の磁区構造観察(25pWL ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 30aZP-11 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察(2)(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- 24pYC-16 La_Sr_xCoO_3のCoL_、OK内殻吸収磁気円二色性
- 23aYF-7 単層カーボンナノチューブ束の光電子分光
- 20pTR-15 MBE 成長した (La, Ce)_2CuO_4 薄膜のその場観察角度分解光電子分光
- 高輝度放射光を用いた気相中結晶成長過程のリアルタイム観察
- X線回折法による半導体ナノワイヤーの評価
- 高輝度放射光を用いた気相成長表面の実時間X線回折
- 半導体ナノワイヤ結晶
- 放射光光電子分光顕微鏡を用いた半導体ナノ結晶の評価
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 25pWL-3 単原子層交互積層法により作製したL1_0型FeNi規則合金の結晶構造解析(25pWL ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 5a-N-1 BL-3B 24m SGM分光器の性能
- 25aYC-10 1T-TaSe_2の角度分解光電子分光
- 21aTR-4 回転偏光子/epi照明単一分子イメージングによる分子配向解析(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- カーボンナノチューブの低エネルギー照射損傷とその応用 (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)
- カーボンナノチューブの低エネルギー照射損傷
- 2pSK-6 2600年前の鳥海神代杉年輪中の^C濃度測定
- 23aSE-2 2600年前の鳥海神代杉年輪中の^C濃度測定III
- 25aSE-1 1960年代の秋田杉年輪試料を用いた、山形大学高精度^C濃度測定法の評価
- 26p-YP-9 遷移金属窒化物の電子エネルギー損失分光
- 5p-G-7 CORE LEVEL PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY AND THE RESONANCE BEHAVIOR OF Tm MONOCHALCOGENIDES
- UVSORにおける光電子顕微鏡実験
- 27a-E-9 液体ビスマスの価電子状態
- 4p-A-11 液体ビスマスの価電子帯光電子スペクトル
- 集積型マイクロ変位センサを用いたレーザドップラ速度計測
- フッ素化ポリイミドとSPPを用いた高アスペクト比加工
- 透過電顕中電子線加熱による結晶成長その場観察
- 27aYQ-9 Cr(001)酸素吸着表面の角度分解光電子分光
- 27aYJ-6 破砕試料表面によるSr_La_xFeMoO_6の光電子分光
- 4a-PS-18 Ga,AS/EuBa_2Cu_3O_(001)の初期吸着過程
- 30a-R-8 強磁性Cr_Teの光電子分光
- 25p-PSA-3 遷移金属化合物の電子状態及び物性の系統性
- 29a-G-6 Sb/GaAs(001)の表面超構造と放射光光電子分光
- 25p-Z-4 Se安定化GaAs表面の放射光光電子分光による解析
- 29p-YC-12 TmX(X=S, Se, Te)の3d-4f共鳴光電子分光
- 31p-YX-10 分析電顕による単層ナノチューブ束へのアルカリ金属のインターカレーションの分析
- 7pPSA-4 低温測定用角度分解光電子分光ビームラインの製作(領域5)
- 7pSP-5 分光型光電子顕微鏡による局所電子状態の研究(主題:表面光電子分光法の技術改革:表面量子準位からナノ構造まで,領域9シンポジウム,領域9)
- 9aSN-4 GaAs(001)の時間分解内殻準位光電子分光 : 2×4←→4×2超構造相転移過程(表面・界面ダイナミクス,領域9)