荻野 俊郎 | NTT基礎研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
荻野 俊郎
NTT基礎研究所
-
荻野 俊郎
横国大
-
荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
荻野 俊郎
Ntt物性科学基礎研究所
-
住友 弘二
NTT基礎研
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
-
本間 芳和
東理大
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
福田 常男
NTT基礎研究所
-
本間 芳和
東京理科大学
-
渡辺 義夫
NTT基礎研
-
渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
-
本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
-
小林 慶裕
NTT基礎研
-
小林 慶裕
阪大
-
日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
-
本間 芳和
NTT境界領域研究所
-
本間 芳和
Ntt基礎総研
-
廣田 幸弘
NTT基礎研究所
-
西岡 孝
Ntt基礎研
-
前田 文彦
NTT基礎研
-
川村 隆明
山梨大教育
-
渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
相澤 則行
東学大
-
前田 文彦
Ntt物性基礎研
-
相沢 則行
東学大
-
Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
-
荻野 俊郎
横浜国立大学
-
尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
-
尾身 博雄
NTT基礎研究所
-
Prabhakaran Kuniyil
NTT基礎研究所
-
相澤 則行
東京学芸大学物理学
-
荻野 俊郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
著作論文
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 31a-T-6 Ge(100)表面での酸素吸着と表面ダイマーバックリングの安定化
- Ge/Si(100)表面での酸素吸着のカイネティックス
- 望まれる個性化と学会の個性 : 新しい学問体系の場を育てよ (物性デバイス研究者からみた電子情報通信学会-2)
- Si/Ge/Si(113)積層構造におけるGeナノ細線の自己組織化
- 中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- 材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
- 結晶シリコン表面水素の偏光赤外分光
- 3a-J-6 真空中加熱によるSi(111)基板の凹部内部における(111)平坦面の成長