中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
関連論文
- 高速原子間力顕微鏡を用いた受容体の一分子イメージング
- 28a-XK-9 イオン誘起2次電子によるSi L殻電子のイオンビームシャドーイング測定
- 構造制御した固体基板上グラフェンの評価と加工(グラフェンの成長と応用)
- ナノ構造技術
- 脱溶存酸素・超純水洗浄処理 GaAs(001) 表面に対する熱処理の影響
- 自己形成ナノ構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 単一分子レベルでのたんぱく質の機能評価
- 生体膜及び生体膜貫通タンパク質のAFMを用いた直接観察
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- 29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
- 50, 100keV H^+に対するSi(001)2×1:Sb表面における阻止能とエネルギーストラグリング
- 27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
- 30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- Si双晶超格子の作製--新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 量子ナノ構造の自己形成制御 (特集:表面・界面科学研究)
- SC-8-5 自己組織化によるSiナノ構造の集積化
- 31a-T-6 Ge(100)表面での酸素吸着と表面ダイマーバックリングの安定化
- Ge/Si(100)表面での酸素吸着のカイネティックス
- 望まれる個性化と学会の個性 : 新しい学問体系の場を育てよ (物性デバイス研究者からみた電子情報通信学会-2)
- LSI技術におけるカーボンナノチューブ配線 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 男女共同参画シンポジウムを終えて : 研究者・技術者の評価制度と多様化する価値観で議論沸騰
- 中速イオン散乱法(MEIS)と走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面ナノ構造の解析
- Si表面におけるナノ構造の自己形成制御
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
- 高指数Si基板上のGe島の自己組織化
- 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
- 24pPSA-4 歪み分布を制御したSi表面の解析 : 理論と実験
- Si/Ge/Si(113)積層構造におけるGeナノ細線の自己組織化
- 中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 材料・応用編 カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 半導体表面の原子構造デザイン
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- 材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
- 結晶シリコン表面水素の偏光赤外分光
- 3a-J-6 真空中加熱によるSi(111)基板の凹部内部における(111)平坦面の成長
- 30a-H-1 Si(001)ステップ端の原子構造
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-5 中速イオン散乱(MEIS)によるSi(111)-(√×√)Pbの構造解析
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 表面構造制御の研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 原子間力顕微鏡を用いた生体分子のトポロジー観察
- カーボンナノチューブ複合紙の現状と可能性
- 1a-W-1 100keVH^+に対するSb/Si(001)の表面における阻止能とエネルギーストラグリング(1aW 放射線物理,放射線物理)