5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
-
相澤 則行
東学大
-
本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
-
荻野 俊郎
横国大
-
荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
本間 芳和
東理大
-
本間 芳和
Ntt基礎総研
-
荻野 俊郎
NTT基礎研究所
-
相澤 則行
東京学芸大学物理学
関連論文
- 22aTC-4 X線回折法による低温域に於けるニッケルの磁歪係数の観察(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- '97分析機器展見聞記
- '97分析機器展見聞記
- '97分析機器展見聞記
- '97分析機器展見聞記
- '97分析機器展見聞記
- 構造制御した固体基板上グラフェンの評価と加工(グラフェンの成長と応用)
- ナノ構造技術
- 自己形成ナノ構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- 昇温脱離した高強度鋼中水素の二次イオン質量分析法によるトラップサイトの同定
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 28a-T-7 Si(111)表面上Ge固相エピタキシに対するサーファクタントの効果II
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- Si(111)表面の分光電子観察
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- Si双晶超格子の作製--新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- 量子ナノ構造の自己形成制御 (特集:表面・界面科学研究)
- SC-8-5 自己組織化によるSiナノ構造の集積化
- 31a-T-6 Ge(100)表面での酸素吸着と表面ダイマーバックリングの安定化
- Ge/Si(100)表面での酸素吸着のカイネティックス
- 望まれる個性化と学会の個性 : 新しい学問体系の場を育てよ (物性デバイス研究者からみた電子情報通信学会-2)
- LSI技術におけるカーボンナノチューブ配線 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 男女共同参画シンポジウムを終えて : 研究者・技術者の評価制度と多様化する価値観で議論沸騰
- 中速イオン散乱法(MEIS)と走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面ナノ構造の解析
- Si表面におけるナノ構造の自己形成制御
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
- 高指数Si基板上のGe島の自己組織化
- 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
- 24pPSA-4 歪み分布を制御したSi表面の解析 : 理論と実験
- Si/Ge/Si(113)積層構造におけるGeナノ細線の自己組織化
- 中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 材料・応用編 カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 半導体表面の原子構造デザイン
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- 材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
- 結晶シリコン表面水素の偏光赤外分光
- 3a-J-6 真空中加熱によるSi(111)基板の凹部内部における(111)平坦面の成長
- 表面構造制御の研究
- 半導体
- 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
- 単層カーボンナノチューブの発光
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
- 薄膜・表面
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
- 走査型電子顕微鏡による表面原子層のその場観察
- 26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
- 超高真空SEMによる表面現象のその場観察
- (111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
- Si(111)表面の(7×7)ドメイン形状のステップ方位依存性
- 半導体
- 23aYK-1 X線回折法で観察した鉄の磁化困難軸方向に於ける磁歪曲線(23aYK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aXD-1 X線回折法によるニッケル単結晶の磁歪観察(27aXD X線,粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- SIMSによるSi,GaAs中の不純物分析
- 極浅領域の深さ方向分析多層BNデルタドープ標準物質とそれによるスパッタ速度変化の評価
- Si基板上の単層カーボンナノチューブのSEM観察
- サマリー・アブストラクト
- 29a-L-5 表面析出物による屈折率の変化 (RHEED)
- 30p-M-8 結晶表面が低次指数格子面に平行でない試料による反射電子回折(II)
- 4p-NR-5 試料表面が低指数格子面に平行でない単結晶試料による反射電子回折
- 1a-N-7 シリコン単結晶表面による反射電子回折 (II)
- 3a-U-9 シリコン単結晶表面による反射電子回折
- カーボンナノチューブ複合紙の現状と可能性