24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
22aTC-4 X線回折法による低温域に於けるニッケルの磁歪係数の観察(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
-
'97分析機器展見聞記
-
'97分析機器展見聞記
-
'97分析機器展見聞記
-
'97分析機器展見聞記
-
'97分析機器展見聞記
-
GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
-
GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
-
SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
-
走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
-
GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
-
GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
-
GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
-
化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
-
29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
-
22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
-
28a-T-7 Si(111)表面上Ge固相エピタキシに対するサーファクタントの効果II
-
31p-S-4 Si(111)表面のGe固相エピタキシャル成長に対するsurfactantの効果
-
24a-PS-33 二次電子像によるSi清浄表面の単原子層ステップ観察
-
3a-TA-3 超高真空分析電子顕微鏡の開発
-
12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
-
30aZP-11 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察(2)(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
-
深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価
-
Si(111)表面の分光電子観察
-
超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
-
Si表面における人工構造物の蒸発による変化
-
24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
-
超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
-
シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
-
カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
-
半導体表面の原子構造デザイン
-
5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
-
高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
-
単層カーボンナノチューブの発光
-
21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
-
ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
-
薄膜・表面
-
28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
-
走査電子顕微鏡で観る結晶成長表面の原子の振る舞い
-
22pTP-5 高温のシリコン昇華・成長表面におけるステップの挙動
-
22pTD-5 高温のシリコン昇華・成長表面におけるステップの挙動
-
24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
-
24pW-4 Si(111)巨大平坦面におけるステップフロー
-
GaAs(111)A基板状MBE成長過程の実空間観察
-
超高真空SEMによる結晶成長と原子ステップダイナミクスの観察
-
走査型電子顕微鏡による表面原子層のその場観察
-
26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
-
超高真空SEMによる表面現象のその場観察
-
(111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
-
Si(111)表面の(7×7)ドメイン形状のステップ方位依存性
-
半導体ナノ構造・量子デバイス
-
23aYK-1 X線回折法で観察した鉄の磁化困難軸方向に於ける磁歪曲線(23aYK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
27aXD-1 X線回折法によるニッケル単結晶の磁歪観察(27aXD X線,粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
サマリー・アブストラクト
-
サマリー・アブストラクト
-
29a-L-5 表面析出物による屈折率の変化 (RHEED)
-
30p-M-8 結晶表面が低次指数格子面に平行でない試料による反射電子回折(II)
-
4p-NR-5 試料表面が低指数格子面に平行でない単結晶試料による反射電子回折
-
1a-N-7 シリコン単結晶表面による反射電子回折 (II)
-
3a-U-9 シリコン単結晶表面による反射電子回折
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク