24a-PS-33 二次電子像によるSi清浄表面の単原子層ステップ観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-03-11
著者
関連論文
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- '97分析機器展見聞記
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- 28a-T-7 Si(111)表面上Ge固相エピタキシに対するサーファクタントの効果II
- 31p-S-4 Si(111)表面のGe固相エピタキシャル成長に対するsurfactantの効果
- 24a-PS-33 二次電子像によるSi清浄表面の単原子層ステップ観察
- 3a-TA-3 超高真空分析電子顕微鏡の開発
- Si(111)表面の分光電子観察
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 5P-E-10 Si(111)微斜表面のステップ構造に対する電流効果
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- ゲート酸化膜のウィークスポットを検出する銅析出法
- 透過電顕中電子線加熱による結晶成長その場観察
- 2p-D-3 電顕内でのカリウム-ナノチューブインターカレーション化合物の作製
- 28p-B-1 a-Bフィラメントの電子エネルギー損失分光
- Co-C系グラニュラー磁性薄膜
- 24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
- 走査型電子顕微鏡による表面原子層のその場観察
- 26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
- 超高真空SEMによる表面現象のその場観察
- (111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
- Si(111)表面の(7×7)ドメイン形状のステップ方位依存性
- 27p-J-9 C_結晶の相転移のTEM観察
- 7a-C-1 a-Ge, C_混合膜の構造解析
- 29a-G-13 a-Ge, C_混合膜の作成と評価
- 1a-C-1 C60, a-C混合膜の作成と評価
- 29p-WB-4 希土類元素を触媒とする単層チューブの合成と構造
- 28p-YK-3 Fe, Co, Niを触媒とする単層炭素ナノチューブの合成
- 15p-DH-7 希土類元素を内包したカーボン・ナノカプセルの合成と構造