(111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
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概要
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We have developed a scanning electron microscope-molecular beam epitaxy (SEM-MBE) system that allows observation of monomolecular steps during the growth of GaAs. When used with a GaAs (111)A Substrate that dramatically improves the flatness of the growing surface, it makes possible detailed observations of the fundamental growth processes of island nucleation, coalescence, and step motion.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
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