InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文
• 2001-04-10

著者

• 太田 英二

  慶應義塾大学

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 小山 紀久

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 岡島 康

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 白石 賢二

  NTT 物性科学基礎研究所

• 山口 浩司

  NTT 物性科学基礎研究所

• 大野 隆央

  物質 ・ 材料研究機構

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 大野 隆央

  物材機構

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 小山 紀久

  物材機構

• 太田 英二

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 太田 英二

  慶大 理工

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 伊藤 智徳

  三重大学工学研究科

• 武田 京三郎

  早稲田大学 理工学術院

関連論文

• 放電プラズマ法によって作製したPbTe焼結体の熱電特性に及ぼす結晶粒径の影響
• レーザーレンジスキャナーを用いた都市の構築に関する研究
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築(人工現実感)
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 画像および地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築 (第11回〔日本バーチャルリアリティ学会〕「人工現実感」研究会)
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-3 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-7 v=1量子ホール状態近傍における光誘起カー効果によるスカーミオン生成・消滅のダイナミクスの観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-8 高次奇数占有数におけるSkyrmionの存在の検証II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 第14回分子線エピタキシー国際会議報告
• 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-2 ピエゾ抵抗における超伝導近接効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
• 25aXD-12 InAs/GaAs/InAs(111)A成長結晶における貫通転位/積層欠陥の劈開端面STM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 機械的振動をナノスケールまで微細化すると何が起こる? ナノメカニカル素子の物理と応用
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 磁気力による反磁性液滴の浮揚
• 液滴の磁気的浮揚に関する研究
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築
• 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
• 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
• 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
• ボンドエンジニアリングによる半導体超格子設計
• 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
• Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
• 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
• 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
• 3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 講演大会特集号に寄せて
• 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• ケルビンプローブ法によるTPD/Alq_3系有機EL素子界面の接触電位差測定
• 25aWD-7 InAs表面における二次元電子状態密度定在波の低温STM観察
• GaAs(111)A基板状MBE成長過程の実空間観察
• 26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
• (111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
• 30p-YS-8 イオン散乱によるGaAs:Er(MBE)の構造決定
• 29a-YS-6 MeV Heに対する阻止能の衝突径数依存性
• 磁気的ターゲティングのための磁性微粒子含有リポソ-ムの作成と特性評価
• X線回折による超微粒子カドミウムフェライトのイオン配置
• 20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
• 電子の立場から眺めた半導体薄膜成長過程--半導体表面での電子のキャッチボ-ル
• GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
• 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• GaAs(111)A基板に成長したInAs薄膜のSTM観察--半導体ヘテロ接合内部の構造的・電子的情報の視覚化
• 16nm技術ノードへ向けたブロック共重合体リソグラフィ (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)
• InAs表面における再構成の変化と相転移
• 26p-F-5 InAs基板表面におけるAs-As相互作用の面内異方性
• 27a-ZC-2 InAs微傾斜基板表面における表面構造相転移
• 27a-D-6 GaAs,InAs表面におけるAs脱離過程への表面再構成の影響
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 化合物半導体マイクロ・ナノメカニクス (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• PS-069-2 腹腔鏡下補助下噴門側胃切除後の間置空腸嚢再建と機能評価(PS-069 胃 鏡視下-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
• (111)A基板上のInAs/GaAsヘテロエピタキシ(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク