27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-09-05

著者

• 大野 隆央

  金材技研

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 倉持 尚叔

  早大理工

• 武田 京三郎

  金材技研

• 大野 隆央

  物材機構

関連論文

• 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
• 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
• 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
• 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
• 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
• シリコン量子平面の電子構造と物理
• 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
• シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
• 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
• 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
• 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
• 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 21pXA-4 シリコン中 30 度部分転位のダイナミクス
• 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
• 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
• 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
• 27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
• 27a-ZF-3 GaAs(110)表面Cs吸着相の原子構造と電子構造
• ボンドエンジニアリングによる半導体超格子設計
• 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
• 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31aZE-9 NO/Pt(111) の振動スペクトルの理論的解析
• 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-34 cBN薄膜成長過程の第一原理計算による研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
• 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
• 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
• 1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
• 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
• 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
• 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
• 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
• 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
• 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
• 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
• 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
• 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
• Al(001)表面への酸素の吸着過程
• Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
• 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
• 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
• 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
• 28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
• 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
• 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
• 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
• 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
• 14a-E-8 パルス強磁場におけるP型Teの磁気フォノン共鳴
• 31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
• 6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
• 31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
• 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
• 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
• 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
• 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
• 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
• GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
• 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
• 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
• 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
• ポリオレフィンの電子局在準位の光学的評価と計算化学的検証
• ポリシランにおける水素原子の挙動
• 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
• 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
• 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク