28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-03-09

著者

• 檜貝 信一

  村田製作所

• 檜貝 信一

  金材技研

• 大野 隆央

  金材技研

関連論文

• 23pYF-6 BaTiO_3セラミックスナノクラスターの第一原理的研究(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aZB-4 リチウムの単層グラファイト表面における吸着安定性 : 理論的研究(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aXF-3 Au(111) 表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性 : 理論的研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYC-5 Au(111) 表面におけるチオフェンチオレート分子の吸着状態 : 理論的研究
• 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
• 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
• 結晶転位の第一原理電子論
• 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
• 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
• 6p-E-6 アクセプター型GIC(AsF-GIC、Br-GIC)の電子構造
• 31p-R-6 Br-GICの電子状態 : アクセプター型GICとなる電荷移動のメカニズム
• 31a-YM-8 カリウム-酸素-グラファイト三元系層間化合物の電子構造
• 31a-YM-1 1次元炭素結晶カーボライトの構造と電子状態
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
• 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
• 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
• 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
• 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
• 22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
• 1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
• 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
• 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
• 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
• 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
• 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
• 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
• 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
• 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
• 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
• Al(001)表面への酸素の吸着過程
• Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
• 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
• 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
• 28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
• 31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
• 6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
• 31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
• 26pGAA-5 誘電体材料の新たな応用展開を目指した理論的研究(26pGAA 領域10シンポジウム:誘電体応用研究最前線-Theory meets industry-,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 村田製作所における計算科学技術の材料研究開発への展開
• 23pRC-5 誘電体材料の新たな応用展開を目指した理論的研究(23pRC 領域10シンポジウム-Theory meets industry-:誘電体応用研究最前線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
• 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
• 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
• 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
• 26pKE-8 Snを両サイトにドープしたSrTiO_3の強誘電性(誘電体(ペロブスカイト,量子常誘電性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク