Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-09-13

著者

• 大野 隆央

  金材技研

• 佐々木 泰造

  金材技研

• 奈良 純

  金材技研

• 奈良 純

  物質材料研究機構:東大生産研

関連論文

• 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 12aXF-3 Au(111) 表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性 : 理論的研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYC-5 Au(111) 表面におけるチオフェンチオレート分子の吸着状態 : 理論的研究
• 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
• 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
• 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
• 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
• 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aYF-6 単層カーボンナノチューブの構造と電気抵抗の圧力効果
• 24pS-14 高圧下におけるカーボンナノチューブの多面体化
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
• 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
• 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
• 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 3p-W-3 物質設計システムの試作
• 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-11 スチレン分子列の伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 12p-DK-7 シリコン中の格子間酸素の断熱ポテンシャル
• 27p-H-3 シリコン中の格子間酸素の低エネルギー非調和運動に対する炭素の影響
• 29p-K-2 シリコン中の炭素 : 酸素複合体に起因する赤外吸収
• 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
• 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
• 26a-Z-2 第一原理分子動力学法によるCu表面の構造最適化
• 27a-ZF-5 APW基底によるCar-Parrinello法
• 第1原理分子動力学法による不純物,格子欠陥の研究 (計算機による材料設計)
• 25p-A-4 A1の欠陥エネルギー II
• La_Ba_xCuO_4とNd_Ce_xCuO_4のバンド構造計算
• Alの欠陥エネルギー
• 5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
• 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
• 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
• 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
• 3a-A2-7 Dynamical Simulated Annealing法によるSiのバンド計算
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
• ナノシミュレーションで探る新材料設計 (特集1/戦略的基盤ソフトウェアの開発)
• 15aPS-71 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性(領域 9)
• 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
• 22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
• 1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
• 31p-M-3 ab initio分子動力学法によるa-Si:Hの光誘起欠陥の電子構造
• 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
• 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
• 22aX-8 TiO_2の圧力誘起構造相転移の理論計算
• 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
• 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
• 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
• 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
• 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
• 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
• 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
• Al(001)表面への酸素の吸着過程
• Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
• 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
• NiOの高圧下での構造
• 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
• 27pPSA-64 Al原子細線の電気伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-56 金電極に挟まれた分子の伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-50 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-57 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
• 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
• 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
• 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
• 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
• 29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用
• 29p-L-14 ヨウ素常圧相の電子構造
• 29p-F-6 ヨウ素高圧相の電子構造
• 28p-B-8 リン金属相の電子構造と格子振動 III
• 1p-F-16 リンの電子構造と格子振動
• 28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
• 31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
• 6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
• 31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
• GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
• 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
• 水素終端Si表面におけるGe成長の理論
• 19pPSB-5 水素終端Si(001)表面におけるGe原子吸着に対する表面近傍Ge原子の影響
• 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
• 24pW-13 水素終端Si(100)表面におけるGe原子吸着 : Ge-Siダイマーの形成
• 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
• 24pCC-9 SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク