29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1987-09-16

著者

• 佐々木 泰造

  金材技研

• 佐々木 泰造

  物質・材料研究機構

• 森田 章

  岩手大工

• 佐々木 泰造

  NRIM

• 佐々木 泰造

  東北大理

• 佐々木 泰造

  物質・材料研究機構・計算科学センター

関連論文

• B22 Virtual Crystal近似による雲母の第1原理計算(口頭発表,一般講演)
• 29aWH-9 Culr_2S_4 絶縁体相の電子構造
• 22pXF-9 Sb(111)表面の超高分解能ARPES II : 電子-格子相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pXF-8 Sb(111)表面の超高分解能ARPES I : バンド構造とフェルミ面(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19pYD-2 高分解能ARPESによるSb(111)表面における異方的スピン軌道相互作用の観測(光電子分光,領域5(光物性))
• 23aYF-6 単層カーボンナノチューブの構造と電気抵抗の圧力効果
• 24pS-14 高圧下におけるカーボンナノチューブの多面体化
• P9 金雲母の第1原理計算(ポスター討論)
• 29pTE-5 第一原理GW+T行列によるAlクラスターの励起状態計算(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aWA-4 第一原理計算T-matrix計算によるCH_4分子のオージェスペクトル(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 3p-W-3 物質設計システムの試作
• 6a-A2-19 黒リン薄膜結晶の光吸収特性
• 29a-G-2 黒リンの構造安定性
• 12p-DK-7 シリコン中の格子間酸素の断熱ポテンシャル
• 27p-H-3 シリコン中の格子間酸素の低エネルギー非調和運動に対する炭素の影響
• 29p-K-2 シリコン中の炭素 : 酸素複合体に起因する赤外吸収
• 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
• 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
• 26a-Z-2 第一原理分子動力学法によるCu表面の構造最適化
• 27a-ZF-5 APW基底によるCar-Parrinello法
• 第1原理分子動力学法による不純物,格子欠陥の研究 (計算機による材料設計)
• 25p-A-4 A1の欠陥エネルギー II
• La_Ba_xCuO_4とNd_Ce_xCuO_4のバンド構造計算
• Alの欠陥エネルギー
• 5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
• 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
• 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
• 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
• 3a-A2-7 Dynamical Simulated Annealing法によるSiのバンド計算
• IV族, V族の電子構造と結晶構造
• 3p-AB-3 3次摂動展開法によるAsの格子振動
• 独立行政法人「物質・材料研究機構」 (日本の研究所の現状と未来(1)国立材料研究機関はどう変わろうとしているのか)
• 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
• 12p-S-1 スピン分極系の準粒子スペクトルの第1原理計算
• 12a-S-14 ソフトコア擬ポテンシャルによる3d遷移金属系の電子状態計算
• 29a-G-3 全閉管型ビスマスフラックス法による黒リン単結晶の作成
• 31p-M-3 ab initio分子動力学法によるa-Si:Hの光誘起欠陥の電子構造
• 22aX-8 TiO_2の圧力誘起構造相転移の理論計算
• 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
• 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
• 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
• 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
• 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
• 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
• 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
• Al(001)表面への酸素の吸着過程
• Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
• 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
• NiOの高圧下での構造
• 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
• 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
• 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
• 28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
• 3p-AB-1 擬ポテンシャル展開法によるリン(P)の圧力転移
• 25aXQ-5 Sb(111)表面における電子-格子相互作用 ; 高分解能ARPES(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 15aTB-6 負のポアソン比を示す物質の第一原理計算による探索(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 12aXC-2 Sb(111) 表面のバンド構造とフェルミ面; 角度分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
• 20aTK-6 HBC (水素化ボロンカーバイド)の異方的圧縮下における格子異常
• 23aPS-7 静電相互作用を起源として負のポアソン比を示す結晶格子 II
• 第一原理からの電子状態計算のための擬ポテンシャル法
• 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
• 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
• 29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用
• 29p-L-14 ヨウ素常圧相の電子構造
• 29p-F-6 ヨウ素高圧相の電子構造
• 28p-B-8 リン金属相の電子構造と格子振動 III
• 1p-F-16 リンの電子構造と格子振動
• 22aXL-5 ハバードのUの起源(電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aPS-24 Al(111) 面における O_2 の非断熱吸着過程(領域 9)
• 19aTK-4 TiO_2の圧力誘起構造相転移
• 11p-F-14 異方性結晶に於ける電子正孔液滴の形状
• A16 第1原理計算による無水粘土鉱物の層間イオン交換エネルギー(口頭発表,一般講演)
• 3a GE-8 Sbの結晶構造の安定性と圧力依存性
• 1p-PS-18 YBa_2Cu_3O_及び(La_>1-x>Sr_x)_2CuO_単結晶の育成と評価(低温(酸化物超伝導体))
• 3a-L2-11 ビスマスフラックス法により作成した黒リン単結晶の磁気抵抗効果とホール効果(半導体,(MOS,黒リン))
• 28a-LJ-7 固体ヨウ素の圧力誘起構造相転移と電子状態(誘電体)
• 30a-LE-10 黒リンのバンド : 再計算(半導体)
• 3a-L2-12 黒リンの構造安定性II(半導体,(MOS,黒リン))
• 31a-G-4 黒リンにおける局在と磁気抵抗効果(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク