11p-F-14 異方性結晶に於ける電子正孔液滴の形状
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1975-09-12
著者
関連論文
- 25pYK-11 カーボンナノチューブのフォノンスペクトルの強束縛近似分子動力学計算
- 30p-E-18 Rhombohedral AsのSOR角度分解光電子分光
- 25aYL-6 酸化バナジウムの分子動力学計算機実験
- 31a-YT-5 高圧下におけるGaのバンド構造
- 27a-Y-6 Si(100)上のC_2次元三角格子結晶の電子状態の混合基底法による第一原理計算
- 14a-S-13 角度分解紫外光電子分光法によるrhombohedral Asの電子構造の研究I
- 29p-ZE-9 黒リンの新しい圧力誘起相転移
- 31a-W-2 高圧下の黒リンII : 格子振動
- 31a-W-1 高圧下の黒リン : I. 結晶構造と凝集エネルギー
- 6a-A2-19 黒リン薄膜結晶の光吸収特性
- 29a-G-2 黒リンの構造安定性
- 6. F-中心に對する一つの模型 (第一報)
- 30a-S-10 NaCl型金属InSbの電子構造と安定性
- IV族, V族の電子構造と結晶構造
- 3p-AB-3 3次摂動展開法によるAsの格子振動
- 3a-BJ-2 擬ポテンシャル法による As と Sb の結晶エネルギー
- 2a-B-11 Cs_3Sbの化学結合の性質
- 1a-LF-5 強磁場下の多励起子系におけるBOSE凝縮と液化
- 6p-L-4 強磁場中の電子正孔系の1次相転移II
- 27a-J-7 高圧下におけるInのバンド構造
- 高圧下におけるSの電子構造
- 13p-A-8 高圧下におけるSeのバンド構造II
- 30a-X-6 高圧下におけるSeのバンド構造
- 25p-T-2 高圧下におけるSeの状態方程式
- 28p-ZP-3 高圧下におけるTeの状態方程式
- 29p-ZE-8 高圧下におけるTeの電子状態
- 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
- 3a-F-2 Cs_3 Sbの電子構造と化学結合
- 3a-F-1 CsIの電荷分布の圧力依存性
- 29a-G-3 全閉管型ビスマスフラックス法による黒リン単結晶の作成
- 26pU-7 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果II : SN比の解析
- 30p-PSA-48 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果
- 二次元±Jイジングスピングラスの絶対零度でのオーダーパラメーラー分布関数
- 29a-D-8 二次元サイトランダムイジングモデルのスピングラス相転移
- 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
- 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
- 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
- 28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
- 3p-AB-1 擬ポテンシャル展開法によるリン(P)の圧力転移
- 24pYE-6 カーボンナノチューブの圧力制御Tight-binding MoleCular Dynamics
- 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
- 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
- 29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用
- 28p-B-8 リン金属相の電子構造と格子振動 III
- 1p-F-16 リンの電子構造と格子振動
- 5a-B-11 ヨウ素高圧相の第一原理からの全エネルギー計算と構造安定性
- 4p-M-24 族半導体の凝集機構の理論II
- 4p-M-22 族半導体の凝集機構の理論I
- 31a GD-3 IV-VI族化合物の強磁場下での電気抵抗異常の理論
- 31p-CA-3 SmTe のバンド間電子・格子相互作用による電気抵抗異常
- 4a-K-9 金属水素の理論 : 圧力融解
- 金属の軟X線の放射と吸収 : 金属シンポジウム : 最近の金属物性の進歩に関する展望
- 軽金属L-準位巾の計算 : X線粒子線
- 28p-F-3 PbI_2のバンド構造と圧力依存性
- 3a-B3-4 固体ヨウ素の電子構造と圧力変化
- 3p-NA-11 強磁場中の電子系の基底状態エネルギー
- 11p-F-14 異方性結晶に於ける電子正孔液滴の形状
- 11p-G-1 強磁場中の電子正孔系の一次相転移
- 3p-TC-1 CsI結晶の圧力効果I : エネルギーギャップ
- 11p-N-10 GaAs中のCrの電子状態
- 11p-N-9 Si中の格子間位置における軽い不純物の超微細相互作用
- 28a-N-11 Si中の格子間位置における3d遷移金属不純物の電子状態
- 2a-N-5 半導体の遷移金属不純物の電子構造 II
- 2p-F-5 半導体Ge中の遷移金属不純物の電子構造I
- 4p-D-2 セルフコンシステント擬ポテンシャル法と Si のバンド構造
- 3a GE-8 Sbの結晶構造の安定性と圧力依存性
- 3a-L2-11 ビスマスフラックス法により作成した黒リン単結晶の磁気抵抗効果とホール効果(半導体,(MOS,黒リン))
- 30a-LE-10 黒リンのバンド : 再計算(半導体)
- 3a-L2-12 黒リンの構造安定性II(半導体,(MOS,黒リン))
- 31a-G-4 黒リンにおける局在と磁気抵抗効果(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
- 28a-S-2 定圧自己無撞着擬ポテンシャル法によるヨウ素の高圧相(28aS 誘電体)