3p-TC-1 CsI結晶の圧力効果I : エネルギーギャップ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1984-09-10
著者
関連論文
- 25pYK-11 カーボンナノチューブのフォノンスペクトルの強束縛近似分子動力学計算
- 30p-E-18 Rhombohedral AsのSOR角度分解光電子分光
- 25aYL-6 酸化バナジウムの分子動力学計算機実験
- 31a-YT-5 高圧下におけるGaのバンド構造
- 27a-Y-6 Si(100)上のC_2次元三角格子結晶の電子状態の混合基底法による第一原理計算
- 14a-S-13 角度分解紫外光電子分光法によるrhombohedral Asの電子構造の研究I
- 29p-ZE-9 黒リンの新しい圧力誘起相転移
- 31a-W-2 高圧下の黒リンII : 格子振動
- 31a-W-1 高圧下の黒リン : I. 結晶構造と凝集エネルギー
- 30a-S-10 NaCl型金属InSbの電子構造と安定性
- 2a-G-4 NaCl型InSbの電子構造
- 2a-B-11 Cs_3Sbの化学結合の性質
- 27a-J-7 高圧下におけるInのバンド構造
- 高圧下におけるSの電子構造
- 13p-A-8 高圧下におけるSeのバンド構造II
- 30a-X-6 高圧下におけるSeのバンド構造
- 25p-T-2 高圧下におけるSeの状態方程式
- 28p-ZP-3 高圧下におけるTeの状態方程式
- 29p-ZE-8 高圧下におけるTeの電子状態
- 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
- 3a-F-2 Cs_3 Sbの電子構造と化学結合
- 3a-F-1 CsIの電荷分布の圧力依存性
- 26pU-7 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果II : SN比の解析
- 30p-PSA-48 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果
- 二次元±Jイジングスピングラスの絶対零度でのオーダーパラメーラー分布関数
- 29a-D-8 二次元サイトランダムイジングモデルのスピングラス相転移
- 28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
- 3p-AB-1 擬ポテンシャル展開法によるリン(P)の圧力転移
- 24pYE-6 カーボンナノチューブの圧力制御Tight-binding MoleCular Dynamics
- 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
- 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
- 5a-B-11 ヨウ素高圧相の第一原理からの全エネルギー計算と構造安定性
- 28p-F-3 PbI_2のバンド構造と圧力依存性
- 3a-B3-4 固体ヨウ素の電子構造と圧力変化
- 11p-F-14 異方性結晶に於ける電子正孔液滴の形状
- 3p-TC-1 CsI結晶の圧力効果I : エネルギーギャップ
- 11p-N-10 GaAs中のCrの電子状態
- 11p-N-9 Si中の格子間位置における軽い不純物の超微細相互作用
- 28a-N-11 Si中の格子間位置における3d遷移金属不純物の電子状態
- 2a-N-5 半導体の遷移金属不純物の電子構造 II
- 2p-F-5 半導体Ge中の遷移金属不純物の電子構造I
- 4p-D-2 セルフコンシステント擬ポテンシャル法と Si のバンド構造
- 3a GE-8 Sbの結晶構造の安定性と圧力依存性
- 28a-S-2 定圧自己無撞着擬ポテンシャル法によるヨウ素の高圧相(28aS 誘電体)